半导体二极管三极管.pptVIP

三极管结构的特点：集电区集电结基区发射结发射区NN集电极C基极B发射极EP1.基区体积最薄、掺杂浓度最低2.发射区掺杂浓度大3.集电区体积最大、掺杂浓度低第30页，共52页，星期日，2025年，2月5日ECRCICUCECEBUBE共发射极接法放大电路9.4.2电流分配和放大原理三极管具有电流放大作用的外部条件:（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。对于NPN型三极管应满足:UBE0UBC0即VCVBVE对于PNP型三极管应满足:UEB0UCB0即VCVBVE输出回路公共端EBRBIB输入回路第31页，共52页，星期日，2025年，2月5日发射区向基区扩散电子IEIB电子在基区扩散与复合集电区收集电子电子流向电源正极形成ICICNPN电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE三极管的电流放大原理EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IBVCCRCVBBRB＋－＋第32页，共52页，星期日，2025年，2月5日由于基区很薄,掺杂浓度又很小,电子通过基区扩散的数量远远大于复合的数量。所以：ICIB同样有:?IC?IB?IC=??IB所以说三极管具有电流分配作用,也称之为电流放大作用。IE=IC+IBIC=?IB第33页，共52页，星期日，2025年，2月5日IBUBE0UCE≥1V死区电压三极管的输入特性发射结的伏安特性IB=f(UBE)UCE=常数9.4.3三极管的特性曲线第34页，共52页，星期日，2025年，2月5日IB=40μAIB=60μAUCE0ICIB增加IB减小IB=20μAIB=常数IC=f(UCE)2.三极管的输出特性iC的大小受iB控制，同时，在IB保持不变的情况下，iC的数值随uCE的增大略有增大。第35页，共52页，星期日，2025年，2月5日iC/mAuCE/V0放大区三极管输出特性上的三个工作区IB=0μA20μA40μA截止区60μA80μA饱和区（2）截止区：IB≤0的区域，两结反偏。严格说，IE=0,即IC≤ICBO的区域，管子基本不导电。（1）放大区：发射结正偏，集电极反偏。特性曲线的平坦部分。满足有电流控制作用。（3）饱和区：两结正偏，靠近纵轴的区域。IB增加，IC不再增加，不受IB的控制，IC只随UCE增加而增加。第36页，共52页，星期日，2025年，2月5日三极管的三种状态1、放大状态：2、截止状态：3、饱和状态：发射结正向导通；集电结反向截止；IB与Ic成正比线性关系：发射结截止；集电结反向截止；IB=0、发射结正向导通；集电结正向导通；IB与Ic成不成正比线性关系：第37页，共52页，星期日，2025年，2月5日例题1：如测得某三极管正常放大时的三个极的电位值依次为：2.5V、1.8V、6.4V，则其对应的管脚极性依次为，该三极管为型三极管，半导体材料为。解题思路：判断管脚：放大区：B极电位居中，E极电位接近B极，C极电位远离B、E极。判断类型：如C极电位最高，则是NPN型；如C极电位最低，则是PNP型。判断材料：为0.6～0.8V，是硅管；如为0.2～0.3V,是锗管。NPN硅第38页，共52页，星期日，2025年，2月5日9.4.4三极管的主要参数1.电流放大系数(1)直流电流放大系数(2)交流电流放大系数?=?IC?IB2.穿透电流ICEO3.集电极最大允许电流ICM4.集--射反向击穿电压U(BR)CEO