2025《金属氧化物基半导体气体传感器分析概述》2000字.docx

金属氧化物基半导体气体传感器分析概述

1.1金属氧化物基气体传感器的分类

以半导体材料为气敏材料的半导体式气体传感器的气敏材料的主要分类为以SnO2和ZnO代表的N型半导体和以NiO、CuO、Co3O4、Cr2O3、Mn3O4为代表的P型半导体两种半导体。N型和P型金属氧化物半导体明显不同的气敏特性，这种差异主要取决于两种半导体的载流子的不同，这两种材料具有不同的载流子。N型氧化物半导体中电子耗竭层（EDL）和p型氧化物半导体中空穴积聚层（HAL）的形成是通过与空气中的O2发生化学吸附[11]，吸附带负电荷的氧；由于载流子的不同，所以载流子的浓度变化和离子的浓度变化是不一样的，P型半导体的载