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场效应管原理及应用讲解教案

一、课程概述

1.1课程名称

场效应管原理及应用

1.2授课对象

具备基本电路理论知识，对半导体器件有初步了解的电子信息类专业学生或工程技术人员。

1.3课时建议

理论授课3-4课时（可根据实际情况调整各部分深度）

1.4教学目标

1.知识目标：理解场效应管（FET）的基本结构、工作原理和主要特性；掌握不同类型场效应管的区别与识别方法；熟悉场效应管的主要参数及其意义。

2.能力目标：能够分析场效应管基本放大电路和开关电路的工作过程；具备根据应用需求选择合适场效应管的初步能力；了解场效应管应用中的注意事项。

3.素养目标：培养学生对电子器件的兴趣，提升其分析问题和解决问题的能力，为后续课程及工程实践奠定基础。

1.5教学重点与难点

*重点：场效应管的工作原理（特别是MOSFET的沟道形成与控制）；场效应管的特性曲线（输出特性、转移特性）；场效应管放大电路的组成与分析。

*难点：MOSFET栅极电压对沟道导电能力的控制机理；场效应管与双极型晶体管（BJT）的区别与联系；场效应管应用电路的设计思路。

二、场效应管概述

2.1什么是场效应管？

场效应管（Field-EffectTransistor,FET）是一种利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的半导体器件。它的核心特点是电压控制电流，并且具有极高的输入阻抗，这使得它在很多领域得到了广泛应用。

2.2场效应管的分类

场效应管的种类繁多，通常可以按照其结构和导电沟道的类型进行分类：

*结型场效应管（JunctionField-EffectTransistor,JFET）

*N沟道JFET

*P沟道JFET

*绝缘栅型场效应管（Insulated-GateField-EffectTransistor,IGFET），最常见的是金属-氧化物-半导体场效应管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）

*N沟道MOSFET

*增强型（EnhancementMode）

*耗尽型（DepletionMode）

*P沟道MOSFET

*增强型

*耗尽型

在目前的电子电路中，增强型MOSFET因其制造工艺简单、集成度高、开关速度快等优点，应用最为广泛，我们将以它为重点进行讲解。

2.3场效应管的主要特点

与双极型晶体管（BJT）相比，场效应管具有以下显著特点：

1.电压控制电流器件：通过栅极电压控制漏极电流，输入电流极小，输入阻抗极高（特别是MOSFET）。

2.单极型器件：导电过程主要涉及一种载流子（电子或空穴）的运动，而BJT则是两种载流子参与。

3.热稳定性好：温度特性优于BJT，不易发生热失控。

4.噪声低：在某些应用中，噪声性能优于BJT。

5.制造工艺简单：易于集成，适合大规模和超大规模集成电路。

三、场效应管的结构与工作原理

3.1结型场效应管（JFET）简介

（简要介绍，为MOSFET做铺垫）

JFET的核心结构是在一块半导体材料（N型或P型，称为衬底或沟道）的两侧，制作一个与沟道导电类型相反的PN结（称为栅结）。通过改变栅源电压（VGS），可以改变PN结耗尽层的宽度，从而改变导电沟道的截面积，实现对漏极电流（ID）的控制。当VGS达到某一值（夹断电压VP或VGS(off)）时，沟道被耗尽层完全夹断，ID几乎为零。

3.2金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）

3.2.1N沟道增强型MOSFET

这是最常用的MOSFET类型之一。

*结构：以P型半导体为衬底（Substrate,B）。在衬底上，通过扩散或离子注入等工艺形成两个高掺杂的N型区域，分别称为源极（Source,S）和漏极（Drain,D）。然后在源极和漏极之间的衬底表面生长一层薄薄的二氧化硅（SiO?）绝缘层，在绝缘层上再沉积一层金属（或多晶硅）作为栅极（Gate,G）。

*工作原理：

1.栅源电压VGS=0时：源区和漏区之间被P型衬底隔开，相当于两个背靠背的PN结，此时无论漏源之间加何种极性电压，总有一个PN结反偏，漏极电流ID≈0。

2.施加正向栅源电压（VGS0，衬底通常与源极相连或接负电位）：栅极（金属）和衬底（P型半导体）相当于一个平板电容器，栅极接正，衬底接负。在电场作用下，衬底表面的空穴被排斥，自由电子被吸引到表面。当VGS增大到某一临界值（开启电压VGS(th)或VT）时，吸引到表面的电子浓度超过了衬底的空穴浓度，表面层由P型反转为N型，形成了一个连接源区和漏区的N型导电沟道。

3.施加漏源电压VDS：在已形成导电