天津大学《半导体物理学》课件-第6章 pn结.pdfVIP

半导体物理

ThePhysicsofSemiconductors

主讲人：聂凯明

天津大学-微电子学院

nkaiming@tju.edu.cn

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第六章pn结

本章重点

◼pn结空间电荷区及接触电势差

◼pn结能带图

◼pn结电流电压特性

◼pn结电容

◼pn结击穿

◼pn结隧道效应

2

6.1pn结及其能带图

◼p型半导体和n型半导体结合在一起，在两者交界处形成pn结。

◼pn结是很多半导体器件的基础结构，了解和掌握pn结的性质具

有重要的实际意义。

◼pn结处硅晶体结构保持完整。

pn结（pnJunction）

p型半导体n型半导体

3

6.1.1pn结的形成和杂质分布

1.合金法（突变结）

+

NAND,p-n

+

NDNA,n-p

2.扩散法（缓变结）

对于线性缓变结,α为杂质浓度梯度

j

4

6.1.2空间电荷区

◼p型半导体和n型半导体结合形成pn结

5

6.1.2空间电荷区

◼p型半导体与n型半导体接触面，漂移运动与扩散运动达到平

衡，形成稳定的空间电荷区，宽度保持不变，其中存在一定

的内建电场。这种情况称为热平衡态下的pn结。

6

6.1.3平衡态下pn结能带图

费米能级处处相等=每种载流子的扩散电流和漂移电流相互抵消

7

6.1.3平衡态下pn结能带图

势垒

同理可得

8

6.1.4pn结接触电势差

例：N=1017cm-3

A

N=1015cm-3

D

SiVD≈0.70V

GeV≈0.32V

D