单晶硅及其杂质和缺陷.pptVIP

5等径当放肩达到预定晶体直径时，晶体生长速度加快，并保持几乎固定的速度，使晶体保持固定的直径生长。此阶段称为等径。注意：保持单晶硅的无位错生长。可能影响因素：晶体硅径向的热应力和单晶炉内的细小颗粒。第30页，共64页，星期日，2025年，2月5日6收尾在晶体硅生长结束时，晶体硅的生长速度再次加快，使得晶体硅的直径不断缩小，形成一个圆锥形，最终晶体硅离开液面，单晶硅生长完成，最后这个阶段叫收尾。以上简要叙述了直拉单晶硅的工艺过程。实际生产过程很复杂，除了坩埚的位置、转速和上升速度，以及籽晶的转速和上升速度等常规工艺参数外，热场的设计和调整也是至关重要的。第31页，共64页，星期日，2025年，2月5日什么样的温度控制才能生长单晶？——根据晶体生长理论来进行设计结晶学把晶体生长过程看作是成核长大过程。这个过程分为两个阶段，成核阶段和生长阶段。在人工晶体生长系统中，为了在所希望生长的地方生长出单晶，必须严格控制生长系统中的成核率。通常采用设置非均匀相变驱动力场的方法，使生长系统中的相变驱动力有一定的合适的空间分布。所谓驱动力场是指生长系统中驱动力在空间的分布。晶体-流体界面附近负相变驱动力，Δg＜0晶体生长其余部分正相变驱动力，Δg＞0成核率为零在直拉法生长的情形，生长驱动力场是与熔体中温度场相对应的，因此可以用改变温度场的方法来获得合理的驱动力场。在直拉法熔体生长系统中，要求熔体的自由表面的中心处，存在负驱动力（熔体具有一定的过冷度），熔体中其余各处的驱动力为正（为过热熔体），且越离液面中心其正驱动力越大，并要求驱动力场（温度场）具有轴对称性。在这样的驱动力场中，用籽晶生长，就能保证生长过程中不会发生不希望有的成核事件。第32页，共64页，星期日，2025年，2月5日4.6.2新型直拉单晶硅的生长技术1磁控直拉单晶硅的技术晶体生长时，可在水平方向，亦可在垂直向加磁场，分别称之为横向磁场和纵向磁场垂直磁场。目的：为了抑制热对流，减少氧杂质。原理：由于熔体硅具有导电性,在磁场的作用下,熔体的流动必然引起感生电流,于是产生洛伦兹力,在洛伦兹力的作用下,熔体内的热对流得到抑制,晶体熔体界面处的氧、点缺陷及其它杂质也可得到控制在横向磁场下,轴向的热对流被抑制,径向不受影响,在轴向磁场下,径向的热对流被抑制,轴向不受影响。第33页，共64页，星期日，2025年，2月5日(1)有效降低和控制氧浓度氧浓度问题是研究磁场法的出发点。由于磁场能有效抑制熔硅的热对流，改变磁场强度又可控制熔硅的热对流，于是控制了熔硅与石英坩埚的反应速率，因而控制了来自石英坩埚中的氧，使得MCZ硅中的氧合量只有CZ硅的十分之一，而且可以控制。(2)获得无生长条纹的晶体加磁场使熔硅的粘度增加，阴碍了熔硅的流动，因而大大减弱了机械振动所引起的熔硅液的抖动，热对流的抑制又大大减小了熔硅的温度波动，使液面极为平静，因而可拉制无生长条纹的晶体。磁场的作用：第34页，共64页，星期日，2025年，2月5日2重装料直拉单晶硅通常，单晶硅棒形成后，留在炉膛内，随炉冷却到室温，再取出。这时，剩下的石英坩埚中的多晶硅也会凝固，体积增大，导致石英坩埚破裂，最终增加了成本。采用重装料直拉单晶硅设备，就是在单晶硅棒收尾后，迅速移走，然后在籽晶轴上装上多晶硅棒，让多晶硅棒熔入熔体，增加熔体，然后在装上籽晶，生长单晶硅。此过程为连续生产过程，节省了大量的时间，而且石英坩埚可以重复利用，节约了大量的成本，在太阳能电池单晶硅的生产中得到了广泛的应用。第35页，共64页，星期日，2025年，2月5日3连续加料直拉单晶硅在直拉单晶硅生长时，源源不断地在熔硅中加入多晶硅，使熔硅液面保持不变，每生长一根单晶硅棒，就移出炉外，这样就可以进行连续生长。加料技术三种：固体加料：利用真空传送系统，直接向熔硅中加入颗粒状多晶硅。液体加料：设备分为生长炉和熔料炉，两者之间有传送管，熔料炉专门熔化多晶硅，利用不同压力控制，输送到生长炉中。双坩埚液体加料：一个炉体，两个坩埚，一个用于生长，一个用于熔料，两坩埚相连，使得生长坩埚的液面保持不变。前景很好，但是应用不广泛。第36页，共64页，星期日，2025年，2月5日4太阳能用直拉三晶硅晶体生长籽晶是由三个晶向都是＜110＞的单晶共同组成，在三晶硅中存在三个孪晶界，都垂直于(110)面，孪晶界之间的夹角为120度。生长技术与传统的直拉法基本相同。优点：晶体生长过程中生长速度较快，缩短时间。机械强度较普通直拉单晶硅高很多，硅片可以加工的很薄，达到150微米。第37页，共6