电子线路线性部分晶体二极管.pptVIP

§1.2.2PN结的单向导电性一、正向特性：当PN结加上如图所示的外加电压VF时，外加电场与PN结内电场方向相反。这时，PN结原来的平衡状态被打破，P区中的多数载流空穴和N区中的多数载流子电子都要向PN结移动，使PN结变窄，即耗尽区厚度变薄，这时耗尽区中载流子增加；因而电阻减小，所以这个方向的外加电压称为正向电压或正向偏置电压。在正向电压作用下，PN结的电场减小，这样P区和N区中能越过PN结的多数载流子大大增加，形成扩散电流。这时扩散运动将大于漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区。PN结内的电流便由起支配地位的扩散电流所决定，在外电路上形成一个流入P区的电流，称为正向电流IF。*第30页，共63页，星期日，2025年，2月5日IF－－－－++++RVFP区N区EiEF变薄当外加电压VF升高，PN结电场便进一步减弱，扩散电流随之增加，在正常工作范围内，PN结上外加电压只要稍有变化(如0．1V)，便能引起电流的显著变化，因此电流IF随外加电压急速上升。这样，正向的PN结表现为一个很小的电阻。在这种情况下，由少数载流子形成的漂移电流，其方向与扩散电流相反，和正向电流比较，其数值很小，可忽略不计*第31页，共63页，星期日，2025年，2月5日这就使得P区和N区能越过这个势垒的多数载流子数量大大增加,形成较大的扩散电流。当然,这时还存在由少数载流子形成的漂移电流,但由热激发产生的少子数量是十分有限的,少子漂移电流对总电流的影响可以忽略不计。当管子制成后,漂移电流大小主要取决于温度,而几乎与外加电压无关。所以,当PN结加正向电压时,通过PN结的电流主要是扩散电流,它随着外加电压E的增加而迅速上升,表明PN结这时呈现一个很小的电阻。这种状态称为PN结处于导通状态。*第32页，共63页，星期日，2025年，2月5日当外加电压VR的正端接N区，负端接P区，外加电场方向与PN结内电场方向相同。在这种外电场作用下，P区中的空穴和N区中山电子都将进一步离开PN结，使耗尽区厚度加宽，这时PN结处于反向偏置。二、反向特性：外加电压将使PN结电场增加，这样P区和N区中的多数载流子就更难越过势垒，因此扩散电流趋近于零。但是，由于结电场的增加，使N区和P区中的少数载流子更容易产生漂移运动，在这种情况下，PN结内的电流由起支配地位的漂移电流所决定。*第33页，共63页，星期日，2025年，2月5日变厚IR－－－－++++RVRP区N区EiER漂移电流的方向与扩散电流相反，表现在外电路上有一个流入N区的反向电流IR，它是由少数裁流子的漂移运动形成的。由于少数载流子的浓度很小，所以IR是很微弱的，一般为微安数量级。同时，少数载流子是由本征激发产生的，当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压VR无关。在一定温度下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定。这时的反向电流IR就是反向饱和电流IS用表示。*第34页，共63页，星期日，2025年，2月5日由于IS很小，所以PN结在反向偏置时，呈现出一个很大的电阻，此时可认为它基本还是不导电的。但因Is受温度的影响较大，在某些实际应用中，还必须予以考虑。死区电压硅管0.6V,锗管0.2VVBR导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3VUDIDIR=-IS由此看来，PN结的正向电阻很小，反向电阻很大，这就是它的单向导电性。*第35页，共63页，星期日，2025年，2月5日三、PN结的伏安（V-I）特性：根据理论分析，PN结的V-I特性可表达为:VT=kT／q称为温度的电压当量其中k为波耳兹曼常数(1．38*10-23J／K)，T为热力学温度，q为电子电荷(1．6*10-19C)常温下VT＝26mVIs为反向饱和电流。对于分立器件，其典型值约在10-8～10-11A的范围内。集成电路中的二极管PN结，其Is值则更小。*第36页，共63页，星期日，2025年，2月5日V-I特性，说明如下：(a)：VD=0，iD=0(b)：当二极管的PN结两端加正向电压时：当VDVT，Exp（VD／VT）1，所以，二极管的电流iD与电压VD成指数关系。(c)：当二极管加反向电压时：若∣VD∣＞＞VT时，指数项趋近于零，因此,iD≈-Is。可见反向饱和电流是个常