AlGaN_GaN HEMT器件：工艺制备与接触特性的深度剖析.docx

AlGaN/GaNHEMT器件：工艺制备与接触特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术飞速发展的进程中，对高性能电子器件的需求持续攀升，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件凭借其卓越的特性，在多个关键领域展现出不可或缺的重要性。

在微波功率领域，随着5G通信、卫星通信以及雷达技术等的迅猛发展，对微波功率器件的要求日益严苛。AlGaN/GaNHEMT器件具备宽禁带、高电子迁移率、高击穿电场以及高饱和电子漂移速度等显著优势，使其在高频、大功率应用场景中脱颖而出。例如，在5G基站的射频功率放大器中，采用AlGaN/GaNHEMT器件能够