霍儿效应测磁场.pptVIP

霍儿效应测磁场第1页，共25页，星期日，2025年，2月5日注意事项安全人身安全电仪器安全调节旋钮等用力不能过猛、速度不能太快特殊仪器应按照使用说明的要求纪律严禁抄袭（实验数据或实验报告），否则本次实验成绩0分第2页，共25页，星期日，2025年，2月5日一、实验目的验证霍尔效应机理。学习霍尔元件测量磁场的方法。【重点】霍尔效应机理【难点】霍尔效应机理、磁场分布的描绘第3页，共25页，星期日，2025年，2月5日二、背景介绍霍尔效应是磁效应的一种，由美国物理学家Hall于1879年在研究金属的导电机理时发现。霍尔效应（Halleffect）是指当固体导体有电流通过，且放置在一个磁场内，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压。除导体外，半导体也能产生霍尔效应，而且半导体的霍尔效应要强于导体。第4页，共25页，星期日，2025年，2月5日三、实验原理要求从三个方面来掌握霍尔效应B的测量霍尔电压的测量方法第5页，共25页，星期日，2025年，2月5日1、霍尔效应图片来源：维基百科当电流垂直于外磁场通过导体（或半导体）时，在导体（或半导体）内部的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一效应即为霍尔效应。图中1.电子；2.导体；3.磁铁；4.磁场；5.电源第6页，共25页，星期日，2025年，2月5日设导体（或半导体）中电子浓度为n，则电流可表示为每个电子在磁场B的作用下，受力为于是电子在的作用下发生偏转，在上表面聚集，从而在上、下表面之间出现出现电势差VH，称为Hall电压。这个电压与B之间的关系可表示为于是式中霍尔元件的灵敏度。（mVmA-1T-1）第7页，共25页，星期日，2025年，2月5日如果半导体是P型，则载流子是空穴，受力方向不变，但上表面积累的是正电荷，此时其中，p是空穴浓度。VH的方向随电流的换向而换向，同时，也随着磁场B的换向而换向。。KH越大，VH越容易测量。总之第8页，共25页，星期日，2025年，2月5日2、B的测量对于Hall元件，只要分别测出工作电流I和Hall电压VH，由元件的KH即可测出B第9页，共25页，星期日，2025年，2月5日3、VH的测量方法一般Hall元件上有两对电极。M、N为工作电流端，S、P为Hall电压端。P、S位于同一等势面上。实际上，P、S端的电压值并不只是VH，还包括其他因素的附加电压：第10页，共25页，星期日，2025年，2月5日实际测量中应考虑这些附加电压并想办法消除它们的影响，找出实际的VH根据附加电压的特征，可采用工作电流I和/或磁场B换向来解出VH的值。设图中所示I和B的方向为正，则反之为负，于是，于是通常，这里的UE可略去，即第11页，共25页，星期日，2025年，2月5日四、实验仪器霍尔磁场测试组合实验仪：TH-H型、HJL型；导线6根。TH-H型HJL型实验箱配套测试仪第12页，共25页，星期日，2025年，2月5日1、配套测试仪型号Is输出VH输入即测量值UiIM输出请注意看仪器面板上的说明第13页，共25页，星期日，2025年，2月5日2、实验箱换向开关，用于改变I、B的方向注意两种仪器的接线位置不一样标尺，用于调整Hall元件的位置第14页，共25页，星期日，2025年，2月5日五、操作步骤分为两大项内容霍尔元件输出特性测量，VH-Is曲线；测绘磁场的磁感应强度分布曲线，B-X曲线。整理仪器、打扫卫生。因为有2种型号的霍尔效应组合实验仪，仪器操作旋钮布局、结构和具体操作上有些地方不太一样，请注意区分。第15页，共25页，星期日，2025年，2月5日A、霍尔元件输出特性测量A.1 按图示位置正确无误接上测试仪和实验箱之间相对应的IS，VH，和IM各组接线，并经检查后开启测试仪的电源；注意：两种仪器接线位置不同，且原有布线也不同。原来已经连接好的线不要再动。第16页，共25页，星期日，2025年，2月5日A.2~3A.2 转动Hall元件支架的水平部分旋钮X，缓慢将Hall元件移到2个磁铁头之间缝隙中的中心位置；A.3 测绘VH-IS曲线：根据不同型号的仪器所对应的电流范围，表1。取IM=A，依次调节IS等于表2中IS的对应值。按原理中3所述换向法测出对应的U1,U2,U3,U4，记入后面表2。仪器型号Is范围（mA）Im范围（A）TH-H2~40.2~0.8HJL2~100.2~0.8表1不同仪器的工作电流范围第17页，共25页，星期日，2025年，2月5日