第3章通信用光器件.pptVIP

(3)噪声。光电二极管的噪声包括由信号电流和暗电流产生的散粒噪声(ShotNoise)和由负载电阻和后继放大器输入电阻产生的热噪声。噪声通常用均方噪声电流(在1Ω负载上消耗的噪声功率)来描述。均方散粒噪声电流〈i2sh〉=2e(IP+Id)B（3.22）式中，e为电子电荷，B为放大器带宽，IP和Id分别为信号电流和暗电流。第62页，共119页，星期日，2025年，2月5日式(3.21)第一项2eIPB称为量子噪声，是由于入射光子和所形成的电子-空穴对都具有离散性和随机性而产生的。只要有光信号输入就有量子噪声。这是一种不可克服的本征噪声，它决定光接收机灵敏度的极限。式(3.22)第二项2eIdB是暗电流产生的噪声。暗电流是器件在反偏压条件下，没有入射光时产生的反向直流电流，它包括晶体材料表面缺陷形成的泄漏电流和载流子热扩散形成的本征暗电流。暗电流与光电二极管的材料和结构有关，例如SiPIN，Id1nA；GePIN，Id100nA。第63页，共119页，星期日，2025年，2月5日均方热噪声电流式中，k=1.38×10-23J/K为波尔兹曼常数，T为等效噪声温度，R为等效电阻，是负载电阻和放大器输入电阻并联的结果。因此，光电二极管的总均方噪声电流为〈i2〉=2e(IP+Id)B+〈i2T〉=(3.23）第64页，共119页，星期日，2025年，2月5日3.2.3雪崩光电二极管(APD)光电二极管输出电流I和反偏压U的关系示于图3.24。随着反向偏压的增加，开始光电流基本保持不变。当反向偏压增加到一定数值时，光电流急剧增加，最后器件被击穿，这个电压称为击穿电压UB。APD就是根据这种特性设计的器件。图3.24光电二极管输出电流I和反向偏压U的关系第65页，共119页，星期日，2025年，2月5日APD(Avalanchephotodiodes)第66页，共119页，星期日，2025年，2月5日根据光电效应，当光入射到PN结时，光子被吸收而产生电子-空穴对。如果电压增加到使电场达到200kV/cm以上，初始电子(一次电子)在高电场区获得足够能量而加速运动。高速运动的电子和晶格原子相碰撞，使晶格原子电离，产生新的电子-空穴对。新产生的二次电子再次和原子碰撞。如此多次碰撞，产生连锁反应，致使载流子雪崩式倍增，见图3.25。所以这种器件就称为雪崩光电二极管(APD)。图3.25APD载流子雪崩式倍增示意图第67页，共119页，星期日，2025年，2月5日APD的结构有多种类型，如图3.26示出的N+PΠP+结构被称为拉通型APD。在这种类型的结构中，当偏压加大到一定值后，耗尽层拉通到Π(P)层，一直抵达P+接触层，是一种全耗尽型结构。拉通型雪崩光电二极管(RAPD)具有光电转换效率高、响应速度快和附加噪声低等优点。图3.26APD结构图第68页，共119页，星期日，2025年，2月5日1.倍增因子由于雪崩倍增效应是一个复杂的随机过程，所以用这种效应对一次光生电流产生的平均增益的倍数来描述它的放大作用，并把倍增因子g定义为APD输出光电流Io和一次光生电流IP的比值。APD的响应度比PIN增加了g倍。响应度的定义为一次光生电流IP和入射光功率P0的比值第69页，共119页，星期日，2025年，2月5日根据经验，并考虑到器件体电阻的影响，g可以表示为：式中，U为反向偏压，UB为击穿电压，n为与材料特性和入射光波长有关的常数，R为体电阻。当U≈UB时，RIo/UB1，上式可简化为g的范围从几十到几百，大小随反向偏压、波长和温度的变化而变化。第70页，共119页，星期日，2025年，2月5日2.过剩噪声因子雪崩倍增效应不仅对信号电流而且对噪声电流同样起放大作用，所以APD的均方量子噪声电流为〈i2q〉=2eIPBg2(3.26a)这是对噪声电流直接放大产生的，并未引入新的噪声成分。事实上，雪崩效应产生的载流子也是随机的，所以引入新的噪声成分，并表示为附加噪声因子F。F(1)是雪崩效应的随机性引起噪声增加的倍数，设F=gx，APD的均方量子噪声电流应为〈i2q〉=2eIPBg2