基于第一性原理剖析双势垒磁性隧道结杂质对电导、隧穿磁阻和散粒噪音的影响.docxVIP

基于第一性原理剖析双势垒磁性隧道结杂质对电导、隧穿磁阻和散粒噪音的影响

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的今天，电子器件的性能提升与小型化成为关键追求。自旋电子学作为一门新兴学科，打破了传统电子学仅利用电子电荷的局限，将电子自旋这一内禀属性纳入信息处理范畴，为电子器件的革新带来了曙光。其中，双势垒磁性隧道结（DoubleBarrierMagneticTunnelJunctions,DBMTJs）凭借其独特的结构和优异的自旋相关输运特性，成为自旋电子学领域的研究焦点之一，在磁存储、传感器、逻辑器件等多个关键领域展现出巨大的应用潜力。

双势垒磁性隧道结通常由两个铁磁层和夹在中间的两个绝缘势垒层构成，这种特殊结构使得电子能够通过量子隧穿效应穿过绝缘势垒，实现自旋极化输运。在磁存储领域，其可用于构建磁随机存取存储器（MagneticRandomAccessMemory,MRAM）。相较于传统的存储技术，基于双势垒磁性隧道结的MRAM具有非易失性，即断电后数据不会丢失；具备高速读写能力，能显著提高数据存储和读取的效率；同时功耗较低，符合现代电子设备对节能的需求。在传感器领域，双势垒磁性隧道结可制成高灵敏度的磁场传感器，能够精确检测微弱的磁场变化，在生物医学检测、地质勘探、信息安全等领域发挥重要作用，比如在生物医学检测中，可用于检测生物分子的磁性标记，实现疾病的早期诊断。在逻辑器件方面，其独特的自旋相关输运特性为构建新型逻辑电路提供了可能，有望突破传统半导体逻辑器件的性能瓶颈，推动计算技术向更高性能、更低功耗的方向发展。

然而，实际制备的双势垒磁性隧道结不可避免地会存在杂质。杂质的引入如同在精密仪器中混入了异物，会对其性能产生多方面的显著影响。杂质可能会改变材料的电子结构，就像改变了电子运行的轨道一样。在双势垒磁性隧道结中，电子的隧穿过程对材料的电子结构非常敏感，杂质引起的电子结构变化会直接影响电子的隧穿概率。当杂质在势垒层中形成局域态时，电子可能会被这些局域态捕获，从而降低隧穿概率，进而影响双势垒磁性隧道结的电导特性。杂质还可能破坏材料的晶体结构，引入晶格缺陷，这些缺陷会成为电子散射的中心，增加电子散射的概率，使得电子在隧穿过程中更容易与杂质或缺陷相互作用，进一步降低电子的隧穿效率，对隧穿磁阻和散粒噪音等性能参数产生负面影响。例如，当杂质导致铁磁层的磁化强度发生变化时，隧穿磁阻会随之改变，而杂质引起的电子散射的随机性会增加散粒噪音的强度，严重影响双势垒磁性隧道结在实际应用中的性能稳定性和可靠性。因此，深入研究杂质对双势垒磁性隧道结性能的影响，对于优化其性能、推动其在各个领域的实际应用具有至关重要的意义。它就像为双势垒磁性隧道结的发展扫清障碍，使其能够更好地发挥潜力，为自旋电子学的发展注入强大动力。

1.2国内外研究现状

国外在双势垒磁性隧道结杂质效应及相关性能研究方面起步较早，取得了一系列具有重要影响力的成果。在电导特性研究中，美国的一些研究团队利用先进的扫描隧道显微镜（STM）技术，对含有杂质的双势垒磁性隧道结进行了微观尺度的电导测量。他们发现，当杂质位于势垒层靠近铁磁层的界面处时，会在界面附近形成额外的电子散射中心，使得电子在隧穿过程中的散射概率大幅增加，从而导致电导显著下降。通过理论模拟与实验相结合的方法，详细分析了杂质浓度与电导之间的定量关系，建立了较为完善的理论模型，为后续研究提供了重要的理论基础。

在隧穿磁阻研究领域，欧洲的科研人员采用分子束外延（MBE）技术制备了高质量的双势垒磁性隧道结样品，并精确控制杂质的种类和引入位置。实验结果表明，特定杂质的引入会改变铁磁层的自旋极化率，进而对隧穿磁阻产生显著影响。当引入具有强自旋-轨道耦合作用的杂质时，会破坏电子的自旋相干性，使得隧穿磁阻降低。他们还深入研究了不同温度下杂质对隧穿磁阻的影响规律，发现随着温度升高，杂质的影响更加明显，隧穿磁阻随温度的变化趋势与杂质的浓度和种类密切相关。

对于散粒噪音的研究，日本的研究小组利用低噪声测量技术，对双势垒磁性隧道结中的散粒噪音进行了精确测量。研究发现，杂质的存在会增加散粒噪音的强度，并且散粒噪音的频谱特性也会发生改变。通过对散粒噪音的分析，揭示了杂质与电子相互作用的微观机制，提出了通过优化材料制备工艺减少杂质含量，从而降低散粒噪音的有效方法。

国内相关研究虽然起步相对较晚，但发展迅速，在多个方面取得了突破性进展。在杂质对双势垒磁性隧道结性能影响的理论研究方面，国内科研团队运用第一性原理计算方法，深入探究了杂质与材料电子结构、磁学性质之间的相互作用机制。通过精确计算杂质引入后材料的能带结构、态密度等物理量的变化，揭示了杂质影响电子隧穿和自旋极化的微观本质，为实验研究提供了重要的理论指导。

在实验