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一种新型垂直围栅器件的设计制造及器件特性研究.pdf

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    摘要

    在过去的几十年里，随着科技的飞速进步，集成电路产业经历了翻天覆地的变

    化。在这个过程中，传统半导体器件设计遇到了前所未有的挑战：一方面，器件物

    理尺寸的持续缩减正逐步接近极限，另一方面，为了满足日益增长的计算需求，器

    件性能的提升成为了迫在眉睫的任务。虽然FinFET和GAAFET这两种先进器件

    在一定程度上缓解了这一困境，提供了更好的栅极控制能力和更低的功耗特性，但

    它们在短沟道效应、电流泄露以及复杂的制造工艺方面，依旧面临着诸多挑战和局

    限。针对现有技术的这些瓶颈，本文引入了一种新型垂

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