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多层耦合InAs量子点的生长及特性研究：从基础制备到应用探索

一、引言

（一）研究背景与意义

随着科技的飞速发展，纳米材料在各个领域的应用日益广泛，其中InAs量子点作为III-V族半导体纳米结构的典型代表，因其独特的量子限制效应和载流子confinement特性，备受科研人员关注。在光电子器件领域，如激光器、探测器等，InAs量子点展现出了巨大的应用潜力，其能够有效提升器件的性能，满足不断增长的高性能光电子器件需求。在量子信息处理领域，InAs量子点也被视为构建量子比特的理想材料之一，为量子计算和量子通信的发展提供了新的可能性。

为了进一步挖掘InAs量子点的性能潜力，多层耦合结构应运而生。这种结构通过巧妙地调控层间应变与电子耦合，能够对量子点的能级结构进行精细调整，进而优化其光学和电学性能。多层耦合结构还能增强量子点之间的相互作用，为实现新型量子器件提供了基础。在硅基光电子集成技术中，低成本、高稳定性光源的需求一直是制约其发展的关键因素。多层耦合InAs量子点有望成为满足这一需求的理想解决方案，通过与硅基工艺的结合，实现高效、稳定的光发射，推动硅基光电子集成技术的广泛应用。在量子计算领域，可控多量子点阵列是实现大规模量子计算的重要基础。多层耦合InAs量子点能够实现量子比特之间的强耦合，为构建高性能量子处理器提供了有力支持。

（二）国内外研究现状

近年来，国内外在多层耦合InAs量子点的研究方面取得了显著进展。中国科学院半导体研究所在硅衬底上生长InAs/GaAs量子点的研究中取得了重要突破。该团队通过采用极薄的Ge材料作为缓冲层，并运用应变超晶格抑制失配产生的位错，成功生长出了高质量的GaAs材料与InAs/GaAs量子点材料。获得的GaAs外延层XRD半高宽达到252arcsec，显示了其具有相当高的晶体质量。在GaAs外延层上自组织生长的InAs/GaAs量子点材料密度为4×1010cm-2，PL发光峰位于1270nm，并在此基础上成功演示了法布里－珀罗（FP）腔激光器，实现了O波段的室温连续波激射。这一成果表明了O波段InAs/GaAs量子点激光器在硅衬底上大规模及低成本制造的潜力，对硅基光电子集成技术的发展起到了积极的推动作用。

北京量子院徐洪起团队在半导体耦合多量子点器件研究中也取得了重要进展。该团队与中国科学院半导体所赵建华-潘东团队合作，采用超精细指栅微纳加工工艺技术，制备出载有两个单电子电荷传感器和一个耦合五量子点一维阵列的半导体砷化铟（InAs）纳米线集成器件。通过超精密低温电子学测量，揭示了该耦合五量子点阵列中的电子电荷态和量子点间电子耦合强度的高度可调性。这种高度可调控的耦合多量子点阵列器件的实现为基于半导体纳米线材料构建先进的量子处理器提供了物理平台。

尽管取得了这些进展，多层耦合InAs量子点的研究仍面临一些挑战。在多层结构中，随着层数的增加，应变积累问题变得愈发严重，这可能导致量子点的结构变形和性能退化。界面缺陷的调控也是一个关键问题，界面缺陷会影响量子点之间的电子耦合，降低器件的性能。如何精准控制量子点之间的耦合强度，以满足不同应用场景的需求，也是当前研究的难点之一。因此，深入研究多层耦合InAs量子点的生长及特性，探索有效的生长工艺和调控方法，对于解决这些问题，推动其在光电子器件和量子信息处理领域的应用具有重要意义。

二、多层耦合InAs量子点生长技术

（一）衬底选择与预处理

衬底的选择与预处理是多层耦合InAs量子点生长的基础环节，对量子点的质量和性能有着至关重要的影响。在实际应用中，硅（Si）和砷化镓（GaAs）是两种常用的衬底材料，它们各自具有独特的优势和适用场景。

硅衬底由于其在半导体工业中的广泛应用和成熟的工艺技术，具有成本低、尺寸大、与现有硅基集成电路工艺兼容性好等显著优点，这使得在硅衬底上生长InAs量子点成为实现硅基光电子集成的重要途径。然而，InAs与Si之间存在约4.1%的晶格失配率，这种较大的晶格失配会在生长过程中引入大量的位错和缺陷，严重影响量子点的质量和性能。为了缓解这一问题，研究人员通常采用在Si衬底上生长极薄的Ge缓冲层（厚度一般控制在5-10nm）的方法。Ge与Si的晶格失配相对较小，通过引入Ge缓冲层，可以有效地降低InAs与Si之间的晶格失配应力，抑制位错的产生和扩散。中国科学院半导体研究所在这方面进行了深入研究，通过在Si衬底上生长Ge缓冲层，并结合一系列优化工艺，成功将GaAs外延层的XRD半高宽降至252arcsec，位错密度也被有效地控制在界面区域，从而在高质量的G