EUV光刻膜突破卡脖子的纳米级攻坚光学镀膜技术颜劲仁32课.pptxVIP

EUV光刻膜——突破“卡脖子”的纳米级攻坚光学镀膜技术主讲人：颜劲仁

光学镀膜技术

我们将走进EUV光刻膜的世界，看中国科研团队如何在“原子尺度”上书写科技自立的传奇。

EUV光刻：从“透光”到“反光”的颠覆性革命传统光学光刻使用紫外光（如ArF，193nm），通过透镜组将图案投射到硅片上，但波长限制导致最小线宽达22nm以上。EUV光刻采用极紫外光（13.5nm），需利用反射式光学系统——因为所有材料对13.5nm光均强烈吸收，唯有通过Mo/Si多层膜的反射干涉实现光路传输。

EUV光刻：从“透光”到“反光”的颠覆性革命40层Mo（4.8nm）与Si（2.8nm）交替堆叠，总厚度仅304nm，形成布拉格反射镜；膜层结构当光入射到Mo/Si界面时，每层反射光相位差90°，40层叠加后总反射率＞98%，相当于在13.5nm波长上搭建了一条光的镜面高速路。反射原理

膜厚均匀性每层厚度误差＜0.01nm，否则会导致光刻线宽误差＞1nm；界面粗糙度Mo/Si层间界面起伏＜0.2nm，否则会引发光散射，造成图案模糊；缺陷密度直径＞50nm的颗粒缺陷需＜1个/cm2，相当于在足球场大小的区域内不允许有一粒沙子。纳米级精度：比头发丝细10万倍的挑战EUV光刻膜的三大“魔鬼指标”

“逆向思维”破局：当进口设备成为“黑箱”2018年，荷兰ASML的EUV光刻机对中国禁运，国内唯一一台二手设备被拆箱时，科研人员发现其Mo/Si膜层参数被加密——连膜厚测量数据都是乱码。传统思路模仿ASML的Mo/Si膜系（40层对称结构），但发现受限于国产镀膜机的离子源稳定性，均匀性始终不达标；逆向创新提出非对称膜系（38层Mo+42层Si），通过增加Si层的厚度容差，在国产设备上实现了0.08nm的膜厚控制精度，比理论极限多留0.03nm容错空间。

“逆向思维”破局：当进口设备成为“黑箱”科学上没有平坦的大道，只有不畏劳苦沿着陡峭山路攀登的人，才有希望达到光辉的顶点。--钱学森

“十年磨一剑”的坚守：从论文到产线的距离第376次实验清华大学团队的保护膜研发之路关键突破成果落地团队成员换了3茬，但“攻破EUV镀膜”的目标始终未变——这就是科研攻坚的“接力精神”。放弃成熟的电子束技术，转向磁控溅射+离子束辅助沉积，自主设计双靶材共溅射装置，使Ru膜密度从8.2g/cm3提升至12.4g/cm3，接近理论极限；发现电子束蒸发制备的Ru膜在100次曝光后出现氧化斑点，而ASML的膜层寿命是1000次；经过8年攻关，保护膜寿命达到1500次，超过进口产品，且成本下降60%。

从“跟跑三代”到“并跑突破”2000年，中国EUV镀膜技术落后国际30年，连Mo/Si靶材都依赖进口。中芯国际创始人张汝京曾无奈地说：“我们不是在买光刻机，而是在为ASML的研发付费。”

从“跟跑三代”到“并跑突破”2010-2015：突破Mo/Si多层膜制备工艺，建成国内首条EUV镀膜中试线（精度±0.1nm）；中国EUV镀膜20年“三级跳”：2016-2020：研制出90nm线宽的EUV光刻胶配套膜系，实现“光源-掩膜-光刻胶”全链条贯通；2021-至今：自主研发的28nm级EUV光刻膜通过台积电验证，良率达92%，打破“28nm是国产芯片极限”的断言。

镀膜机精度中电科二所研制的KAI-600型EUV镀膜机，离子束扫描速度稳定度达0.01%，超过德国莱宝的0.05%；检测技术中科院苏州纳米所开发的X射线反射率仪（Nano-X3），膜厚测量精度达0.005nm，比美国赛默飞世尔的0.01nm提高一倍；材料国产化宁夏东方钽业实现Mo纯度99.9995%（5N5级），硅纯度99.99999%（7N级），结束了“靶材依赖进口”的历史。“纳米级”精度背后的“大国精度”中国精度

“从0到1”的突破，不仅是技术指标的超越，更是中国高端制造能力的整体跃升。

半导体之父——张汝京芯片是工业的粮食，而EUV光刻膜就是磨粮食的‘石磨’。我们不仅要把石磨造出来，还要让它比别人的更锋利、更耐用。

愿你们成为新一代“纳米级工匠”，在原子尺度上雕刻中国芯，让EUV光刻膜不仅是技术突破的标志，更成为中华民族自立于世界民族之林的“光学勋章”！