等离子体与固体表面相互作用原理.pptVIP

四、低温等离子体技术（与固体表面相互作用的过程有关的）沉积功能薄膜材料和材料表面改性集成电路(芯片)辅助加工微电机系统(Micro-electro-mechanicalsystem,MEMs)辅助加工超大平板显示系统(等离子体彩电)第30页，共59页，星期日，2025年，2月5日1、等离子体薄膜制备技术合成各种新型薄膜材料，如光电子薄膜、超导薄膜、生物薄膜及纳米薄膜等负偏压靶基片plasma物理气相沉积技术（溅射技术）反应性气体基片CH4化学气相沉积技术第31页，共59页，星期日，2025年，2月5日等离子体合成类金刚石薄膜第32页，共59页，星期日，2025年，2月5日等离子体合成纳米管（丝）第33页，共59页，星期日，2025年，2月5日为什么需要低介电常数的薄膜？正在从微电子学到纳米电子学转变，由此带来：?芯片上器件的密度增加?器件的工作频率增加低介电常数的薄膜第34页，共59页，星期日，2025年，2月5日第35页，共59页，星期日，2025年，2月5日2、等离子体材料表面改性技术传统的离子注入技术：Plasmasource引出系统离子束工件“视线”型离子束改性技术：效率低，仅适用于简单表面形状的工件第36页，共59页，星期日，2025年，2月5日等离子体离子流鞘层等离子体源离子注入(PSII)示意图第37页，共59页，星期日，2025年，2月5日特别适用于复杂工件（如齿轮）的表面改性第38页，共59页，星期日，2025年，2月5日3、等离子体刻蚀技术第39页，共59页，星期日，2025年，2月5日第40页，共59页，星期日，2025年，2月5日第41页，共59页，星期日，2025年，2月5日等离子体刻蚀技术的应用(1)超大规模集成电路的制备第42页，共59页，星期日，2025年，2月5日第1页，共59页，星期日，2025年，2月5日ContentChapter1:IntroductionChapter2:PlasmasheathsChapter3:Tow-bodyelasticcollisionsinsolidsChapter4:NuclearstoppingpowerChapter5:ElectronicstoppingpowerChapter6:Project-rangetheoryforenergeticionsinsolidsChapter7:SputteringphysicsChapter8:Secondaryelectronemission第2页，共59页，星期日，2025年，2月5日第一章：引言一、等离子体特性1、成分的复杂性对于等离子体合成薄膜及等离子体刻蚀等工艺过程，通常采用一些化学活性的气体作为工作气体。这些气体电离后含有丰富的粒子种类，如电子、离子、原子、分子、离子团、活性基团及光子。第3页，共59页，星期日，2025年，2月5日如合成类金刚石薄膜，采用的工作气体为CH4和H2，这样形成的Plasma中有：第4页，共59页，星期日，2025年，2月5日如利用CF4进行等离子体刻蚀工艺，Plasma中有：第5页，共59页，星期日，2025年，2月5日2、荷能性等离子体中的电子、离子及中性粒子均是携带能量的。在低气压等离子体中，电子的温度约为几个电子伏特，离子和中性粒子的温度约为几百度。但当在基片上施加偏压时，离子的能量更高，取决与施加的偏压。对于电弧等离子体，整体荷能，电子温度和离子温度均在上万度。第6页，共59页，星期日，2025年，2月5日3、开放性（1）为了维持放电或控制Plasma的形态，通常施加外电磁场。如：微波电磁场、射频感应耦合电磁场、静磁场等。（2）对于等离子体工艺过程，放电时要不断进气和抽气。工作气体的密度要改变。第7页，共59页，星期日，2025年，2月5日4、时空变化性空间非均匀性：?放电装置的空间尺度有限?器壁、电极、基片附近的等离子体空间非均性的宏观体现：扩散、热传导、粘滞等时间的瞬变性：放电的初期，变化的外电磁场第8页，共59页，星期日，2025年，2月5日5、Plasmaoscillations