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半导体相关知识试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.在绝对零度下，本征硅中电子和空穴的浓度关系是？

A.n=p

B.np

C.np

D.n=0

2.掺杂元素能显著改变半导体的导电性，其主要原因是？

A.改变了半导体的能带结构

B.增加了半导体的本征载流子浓度

C.产生大量能隙态

D.引入了新的能级位于导带底或价带顶附近

3.PN结形成后，其耗尽层主要存在于？

A.P区和N区的内部

B.P区N区交界面附近

C.P区的外部

D.N区的外部

4.当外加电压使PN结耗尽层变宽时，该电压是？

A.正向电压

B.反向电压

C.零电压

D.任意电压

5.MOSFET器件中，形成导电沟道的主要是？

A.P型掺杂

B.N型掺杂

C.沟道离子

D.耗尽层

6.在增强型NMOSFET中，为使其导通，栅极电压（VGS）必须？

A.小于阈值电压（Vth）

B.等于阈值电压（Vth）

C.大于阈值电压（Vth）

D.等于零

7.半导体器件的开关特性主要利用了其？

A.饱和电阻和开路电阻的差异

B.稳定电压输出特性

C.线性放大特性

D.储存电荷能力

8.硅（Si）和锗（Ge）都属于哪种类型的半导体材料？

A.元素半导体

B.化合物半导体

C.超导体

D.绝缘体

9.光电二极管的工作原理是基于？

A.PN结的整流效应

B.半导体的压阻效应

C.半导体的光电效应

D.半导体的热电效应

10.CMOS反相器的静态功耗主要来源于？

A.晶体管的导通电阻

B.晶体管的开关速度

C.两个MOSFET的静态漏电流

D.电源电压的纹波

二、填空题

1.半导体的禁带宽度通常在______eV到______eV之间。

2.N型半导体中，主要载流子是______，次要载流子是______。

3.PN结的单向导电性是指电流主要从______区流向______区。

4.MOSFET的输出特性曲线可以分为______区、______区和______区。

5.Doping是指向半导体中掺入少量______元素的工艺。

6.衡量二极管正向导通特性的主要参数是______和______。

7.三极管根据结构可分为______晶体管和______晶体管。

8.晶体管的放大作用是指其输入端一个微小的______信号可以控制输出端较大的______信号。

9.光伏效应是指半导体PN结在光照下产生______和______的现象。

10.集成电路制造过程中，光刻技术主要用于实现______的转移。

三、判断题

1.本征半导体的载流子浓度只与温度有关。()

2.反向电流越小，二极管的反向特性越好。()

3.MOSFET的阈值电压（Vth）是一个固定不变的值。()

4.耗尽层是半导体中电场增强，载流子几乎为零的区域。()

5.任何半导体材料都可以用来制造电子器件。()

6.BJT是电流控制器件，MOSFET是电压控制器件。()

7.N型半导体的费米能级高于P型半导体的费米能级。()

8.CMOS电路相比其他逻辑门电路功耗更低。()

9.半导体器件的制造工艺是在微米尺度上进行的。()

10.结型场效应管（JFET）和MOSFET都属于电压控制型器件。()

四、简答题

1.简述掺杂对半导体导电性的影响。

2.解释什么是PN结的耗尽层，并说明其宽度如何受外加电压的影响。

3.简述MOSFET从关断状态到导通状态，其内部沟道是如何形成的。

4.说明什么是半导体的光敏效应，并列举至少两种利用该效应的半导体器件。

五、计算题

1.已知本征硅的禁带宽度为1.12eV，计算其在300K时的电子和空穴浓度（假设kT/q≈0.0259eV）。

2.一个理想二极管电路如右图所示（此处无图，假设为简单的正向偏置电路），电源电压VCC=5V，二极管的正向压降Vf=0.7V。求通过二极管的电流If。假设二极管截止时电流为零。

六、论述题

结合MOSFET的工作原理，论述其作为开关器