发光二极管的工作原理云南开放大学52课件.pptxVIP

主讲人：郑丽萍发光二极管的工作原理云南开放大学

光电检测技术

发光二极管的工作原理

发光二极管的结构

发光二极管发光二极管（即LED）是一种注入式电致发光器件，它由P型和N型半导体组合而成。其结构实际是将PN结管芯烧结在金属或陶瓷底座上，然后用透明环氧树脂封装而成。

.发光二极管工作原理当PN结加上正向电压时，结区势垒降低，P区的空穴载流子向N区扩散，N区的电子向p区扩散，空穴与电子在PN结区相遇复合，从而释放能量而发光。发光二极管工作原理较为简单，容易理解和接受。但发光二极管的材料及特性参数复杂。

0103制作发光二极管的材料直接带（直接跃迁）材料：

砷化钙CaAs氮化镓GaN硒化锌ZnSe02间接带（间接跃迁）材料磷化镓GaP；利用窄禁带的直接带材料砷化钙CaAs与宽禁带的间接材料磷化镓GaP生长的混晶砷磷化镓合金GaAs1-xPx。

0103制作发光二极管的材料混晶的好处是可以得到比原来直接带更宽的禁带，同时仍然保持直接带性质的新三元化合物材料。02Eg越宽，释放能量越大，发光波长越短。但当某种材料具有不同掺杂时，可发出不同颜色的光。如：磷化镓GaP掺Zn与氧时可发出0.7微米的红光，而磷化镓GaP掺Zn与氮时则发出0.56微米的绿光。

.光学效率η0是外量子效率与内量子效率的比。用下面的公式表示：LED的特性参数（1）光学效率η0外量子效率是射出的光子数NT与注入的电子空穴对数G之比：

发光二极管发光二极管和白炽灯泡相比，有体积小、耐冲力、寿命长、功耗低、响应快、可靠性高、颜色鲜明、易和集成电路匹配等特点，因而获得了广泛的应用。

.LED的特性参数由于半导体材料的折射率较高，反射和吸收的损失很大，所以辐射复合所产生的光量子不能全部射出器件外。反射与吸收损耗提高光学效率的方法就是减少吸收（选择最佳结深等）与晶体表面的内反射损失（选合适的封装材料等）。减吸收与降内反射

.（2）发光光谱发光光谱是发光的相对强度（或能量）随波长（或频率）变化的分布曲线。它直接决定着发光颜色，并影响它的流明效率。发射光谱的形成是由材料的种类、性质以及发光中心的结构决定的，而与器件的几何形状和封装方式无关。描述光谱分布的两个主要参量是它的峰值波长和半强度宽度（或称半宽度）。

.对于辐射跃迁所发射的光子，其波长λ与跃迁前后的能量差△E之间的关系为λ=hc/△E。（2）发光光谱发光二极管的峰值波长是由材料的禁带宽度决定的。对大多数半导体，由于折射率较大，在发射光逸出半导体之前，可能在样品内经过了多次反射。发光光谱对于发光二极管，复合跃迁前后的能量差大体就是材料的禁带宽度Eg。

.LED的特性参数因为短波长比长波更容易被吸收，所以峰值波长相应的光子能量比禁带宽度小些。例如GsAs的峰值波长出现在1.1eV，比室温下的禁带宽度少0.3eV。能隙与峰值能差峰值光子的能量还与温度有关，它随温度的增加而减少。在结温上升时，谱带波长以0.2～0.3nm/℃的比例向长波方向移动。温变能移

0103（3）伏安特性发光二极管的伏安特性如图所示，它与普通二极管的伏安特性大致相同。电压小于开启点的电压值时无电流。02电压一超过开启点就显示出欧姆导通特性。由于LED的正向伏安曲线较陡，故在应用时必须串接限流电阻，以免烧坏管子。

.（4）发光亮度与电流关系发光二极管的发光亮度B是单位面积发光强度的量度。在辐射发光发生在P区的情况下，发光亮度B与电子扩散电流Tdn之间有如下关系：τ是载流子辐射复合寿命τR和非辐射复合寿命τNR的函数。

.（4）发光亮度与电流关系这些亮度随电流密度近似成正比增加，适合于在脉冲下使用。因为脉中状态工作不易发热，在平均电流与直流相等的情况下可以得到更高的亮度。

（5）寿命发光二极管的寿命定义为亮度降低到原有亮度一半时所经历的时间。发光二极管的寿命一般都很长，在电流密度小于1A/cm2时，一般可达106h，最长可达109h。

（5）寿命随着工作时间的加快，亮度下降的现象叫老化。老化的快慢与工作电流密度有关。随着电流密度的加大，老化变快，寿命变短。

.0103（6）响应时间在快速显示时，标志器件对信息反应速度的物理量叫响应时间，即指器件启亮与熄灭时间的延迟。02实验证明，发光二极管的上升时间随电流的增加而近似呈指数衰减。它的响应时间一般是很短的，在用脉冲电流驱动发光二极管时，脉冲的间隔和占空因数必须在器件响应时间所许可得范围内。