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氢化硅薄膜：制备工艺、特性剖析与器件应用的深度研究.docxVIP

氢化硅薄膜：制备工艺、特性剖析与器件应用的深度研究.docx

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    氢化硅薄膜：制备工艺、特性剖析与器件应用的深度研究

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在当今电子器件领域，半导体材料的持续创新与发展对推动整个行业的进步起到了关键作用。氢化硅薄膜作为一种极具潜力的半导体材料，因其独特的物理性质和广泛的应用前景，受到了学术界和工业界的广泛关注。

    氢化硅薄膜是在硅原子组成的网络结构中引入氢原子，氢原子的存在有效地钝化了硅原子的悬挂键，极大地减少了材料中的缺陷态密度，从而显著改善了材料的电学和光学性能。这种独特的结构特点使得氢化硅薄膜在众多电子器件中展现出了优异的性能，成为了实现高性能、低成本电子器件的理想选择。

    在红外成像传感器领域，氢化硅薄膜凭借其对红外光的高吸

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