第二章晶体三极管.pptVIP

直流电源和耦合电容对交流相当于短路(2)直流通路和交流通路(a)直流通路直流通路无信号时电流（直流电流）的通路，用来计算静态工作点。将电容开路.交流通路有信号时交流分量（变化量）的通路，用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动态参数。。(b)交流通路第29页，共44页，星期日，2025年，2月5日(3)放大原理输入信号通过耦合电容加在三极管的发射结于是有下列过程：三极管放大作用变化的通过转变为变化的输出第30页，共44页，星期日，2025年，2月5日例：画出下图放大电路的直流通路直流通路直流通路用来计算静态工作点Q(IB、IC、UCE)对直流信号电容C可看作开路（即将电容断开）断开断开+UCCRBRCT++–UBEUCE–ICIBIE+UCCRSesRBRCC1C2T+++–RLui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE第31页，共44页，星期日，2025年，2月5日第1页，共44页，星期日，2025年，2月5日晶体三极管的结构发射结集电结基极发射极集电极晶体三极管是由两个PN结组成的，但发射区掺杂浓度比集电区浓度大。发射区基区集电区第2页，共44页，星期日，2025年，2月5日三极管电流放大作用半导体三极管在放大工作状态时：1一定要加上适当的直流偏置电压。2发射结加正向电压，集电结加反向电压。第3页，共44页，星期日，2025年，2月5日三极的工作原理发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。（这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。）进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子形成的电流是IBN。另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。很小的基极电流IB，就可以控制较大的集电极电流IC，从而实现了放大作用。第4页，共44页，星期日，2025年，2月5日半导体三极管的特性曲线iB是输入电流，vBE是加在B、E两极间的输电压。输入特性曲线—iB=f(vBE)?vCE=常数共发射极接法的输入特性曲线其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线，当vCE≥1V时，vCB=vCE-vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少，IC/IB增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。 导通电压锗管0.1~0.3V硅管0.6~0.8V第5页，共44页，星期日，2025年，2月5日输出特性曲线—iC=f(vCE)?iB=常数iC是输出电流，vCE是输出电压。⑴放大区：发射结正偏、集电结反偏⑵截止区：IB=0以下的区域。⑶饱和区：发射结和集电结均为正偏。IC随着VCE的变化而迅速变化。工程上以VCE=0.3伏作为放大区和饱和区的分界线。VCE大于0.7V左右(硅管)。发射结和集电结均为反偏。第6页，共44页，星期日，2025年，2月5日测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。放大截止饱和-+正偏反偏-++-正偏反偏+-放大VcVbVe放大VcVbVe发射结和集电结均为反偏。发射结和集电结均为正偏。第7页，共44页，星期日，2025年，2月5日测得VB=4.5V、VE=3.8V、VC=8V，试判断三极管的工作状态。放大第8页，共44页，星期日，2025年，2月5日半导体三极管的参数1电流放大系数交流电流放大系数1.共发射极交流电流放大系数??=?IC/?IB?vCE=const在输出特性曲线上求β在放大区?值基本不变，通过垂直于X轴的直线由?IC/?IB求得当ICBO和ICEO很小时，第9页，共44页，星期日，2025年，2月5日2极间反向电流1）.集电极基极间反向饱和电流ICBOICBO的下标CB代表集电极和基极，