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硅的理化性质与硅片制备工艺

一、硅的理化性质

硅（化学符号Si，原子序数14，位于元素周期表IVA族）是地壳中含量第二丰富的元素（约占地壳质量的28%），也是半导体工业的核心材料，其理化性质兼具金属与非金属特性，具体如下：

（一）物理性质

结构与形态

纯硅常温下为灰黑色金属光泽的晶体，具有金刚石型面心立方晶体结构（晶格常数5.43?），原子间通过共价键结合，键能高达347kJ/mol，因此晶体硬度较高（莫氏硬度7.0，仅次于金刚石、刚玉），脆性大，无延展性。

存在两种同素异形体：晶体硅（有序结构，半导体特性）和无定形硅（无序结构，导电性接近绝缘体，多用于薄膜太阳能电池）。

力学与热学特性

密度：2.33g/cm3（25℃，晶体硅），远低于金属（如铝2.7g/cm3、铜8.96g/cm3），轻量化特性适配电子器件小型化需求；

熔点与沸点：熔点1410℃，沸点2355℃，高温稳定性强，可耐受半导体制造中的高温工艺（如1000℃以上的扩散、退火）；

热导率：149W/(m?K)（25℃），介于金属（如铜401W/(m?K)）与绝缘体之间，兼具散热性与隔热性，需通过热设计优化芯片散热；

热膨胀系数：2.6×10??/℃（25-100℃），膨胀率低，与二氧化硅（SiO?，膨胀系数0.5×10??/℃）匹配度较好，可减少芯片封装时的热应力。

电学特性（核心半导体属性）

电阻率：纯晶体硅常温下电阻率约2.3×103Ω?cm（半导体特征，远高于金属的10??Ω?cm，低于绝缘体的101?Ω?cm）；

导电性可调控：通过掺杂微量杂质（如硼、磷）改变电学性能——掺杂硼（III族元素）形成P型半导体（空穴导电），掺杂磷（V族元素）形成N型半导体（电子导电），这是二极管、三极管、芯片等器件的核心工作原理；

禁带宽度：1.12eV（室温），需吸收能量大于禁带宽度的光子才能激发电子导电，因此纯硅对可见光透明性差（灰黑色），且常温下载流子浓度低，需通过掺杂提升导电性。

（二）化学性质

稳定性与反应性

常温下化学性质稳定，不易与空气、水、酸（除氢氟酸外）反应，表面会自然形成一层致密的SiO?薄膜（厚度约2-3nm），可阻止内部硅进一步氧化，因此硅片储存时无需特殊防腐处理；

高温下（＞400℃）可与氧气反应：Si+O?→SiO?（半导体制造中“热氧化”工艺的原理，用于生成芯片中的绝缘层）；

与氢氟酸（HF）反应：Si+4HF→SiF?↑+2H?↑（唯一能溶解硅的酸，常用于硅片表面清洗、蚀刻工艺，去除表面氧化层或形成图案）。

与其他物质的反应

与强碱（如NaOH、KOH）反应：Si+2NaOH+H?O→Na?SiO?+2H?↑（用于硅片边缘抛光、湿法蚀刻）；

与氯气（Cl?）高温反应：Si+2Cl?→SiCl?（生成四氯化硅，是硅原料提纯的关键中间产物）；

与氢气（H?）高温反应：Si+2H?→SiH?（生成硅烷，可用于外延生长、薄膜沉积工艺）。

毒性与安全性

纯硅本身无毒，是人体必需的微量元素（参与骨骼形成）；

硅的化合物（如SiO?粉尘、SiCl?）需注意防护：SiO?粉尘长期吸入可能导致矽肺，SiCl?遇水剧烈反应生成HCl气体，具有腐蚀性，因此硅片制备车间需配备通风、防毒设备。

二、硅片的制备工艺（半导体级硅片，以12英寸晶圆为例）

硅片（又称晶圆）是芯片制造的“基底材料”，其制备需经过原料提纯→单晶生长→晶锭加工→切片抛光→质量检测五大核心环节，工艺精度要求极高（如表面平整度误差需＜1nm），具体流程如下：

（一）第一步：原料提纯（从石英砂到电子级多晶硅）

原料预处理

初始原料：石英砂（主要成分SiO?，纯度99.5%以上），通过破碎、筛选去除杂质（如铁、铝氧化物）；

第一步还原：将石英砂与焦炭（C）混合，在电弧炉中高温（1800℃）反应：SiO?+2C→Si（粗硅）+2CO↑，生成的粗硅纯度约95%-98%（又称“冶金级硅”，含大量杂质，无法直接用于半导体）。

多晶硅提纯（核心步骤，纯度提升至99.9999999%，即9N级）

氯化反应：粗硅与Cl?在300℃反应生成SiCl?（液态，沸点57.6℃），通过蒸馏（多次精馏）去除SiCl?中的硼、磷等杂质（纯度提升至99.9999%）；

还原反应：将高纯度SiCl?与H?在1100℃的还原炉中反应：SiCl?+2H?→Si（多晶硅）+4HCl↑，生成的多晶硅为“棒状”或“颗粒状”，纯度达到9N级（电子级多晶硅，满足半导体要求）。

（二）第二步：单晶生长（多晶硅→单晶硅锭，决定硅片电学均匀性）