FeCo共掺Ge非晶磁性半导体：磁性与电输运特性的深度剖析.docxVIP

FeCo共掺Ge非晶磁性半导体：磁性与电输运特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对电子器件性能的要求不断提高，自旋电子学应运而生，成为了凝聚态物理和材料科学领域的研究热点。自旋电子学不仅关注电子的电荷属性，更重要的是利用电子的自旋属性来实现信息的存储、处理和传输，有望突破传统半导体器件的物理极限，为下一代信息技术的发展提供新的途径。磁性半导体作为自旋电子学的关键材料，兼具磁性和半导体特性，能够将磁学和电学性质有机结合，在自旋注入、自旋探测、磁随机存储器、自旋晶体管等自旋电子器件中展现出巨大的应用潜力，成为推动自旋电子学发展的核心材料之一。

在众多制备磁性半导体的方法中，离子共掺和合金化技术脱颖而出，成为获取高性能磁性半导体的重要手段。通过共掺，可以精确引入磁性原子，并对其位置和浓度进行有效控制，从而对材料的磁性、电性和光学性能产生显著影响。在这样的背景下，FeCo共掺Ge非晶磁性半导体成为了研究的焦点。Ge作为一种重要的半导体材料，具有较高的载流子迁移率和良好的光学性质，在半导体器件中有着广泛的应用。将Fe和Co共掺到Ge中形成非晶磁性半导体，有望综合Fe、Co的磁性以及Ge的半导体特性，获得具有独特性能的新材料。非晶态结构由于不存在长程有序的晶格结构，具有许多晶态材料所不具备的优越特性，如较高的强韧性、热稳定性和电阻率等，这使得非晶态磁性半导体在实际应用中具有更大的优势。

研究FeCo共掺Ge非晶磁性半导体的磁性和电输运性质，对于深入理解磁性半导体的物理机制具有重要的科学意义。通过研究FeCo共掺对Ge非晶结构的影响，以及这种结构变化如何导致磁性和电输运性质的改变，可以揭示磁性半导体中磁性与半导体特性之间的相互作用规律，为磁性半导体的理论发展提供实验依据。同时，对该材料磁性和电输运性质的研究成果，也将为其在自旋电子学和磁电子学等领域的实际应用提供关键的技术支持。在自旋电子器件中，材料的磁性和电输运性质直接决定了器件的性能，如自旋注入效率、磁电阻效应等。通过优化FeCo共掺Ge非晶磁性半导体的性能，可以为开发高性能的自旋电子器件奠定坚实的基础，推动自旋电子学和磁电子学等领域的快速发展，进而对信息技术、能源技术等相关领域产生深远的影响。

1.2国内外研究现状

近年来，国内外科研人员对磁性半导体展开了广泛而深入的研究，取得了一系列重要成果。在FeCo共掺Ge非晶磁性半导体的研究方面，也积累了一定的研究基础。

国外研究团队在该领域的研究起步较早，他们通过先进的制备技术和表征手段，对FeCo共掺Ge非晶磁性半导体的结构和性能进行了多方面的探索。例如，[具体团队1]利用磁控溅射技术制备了不同Fe、Co含量配比的FeCo共掺Ge非晶薄膜，并通过X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）等手段对其结构进行了详细表征，发现随着Fe、Co含量的变化，薄膜的非晶结构会发生一定程度的改变，进而影响其磁性和电输运性质。在磁性研究方面，[具体团队2]使用超导量子干涉仪（SQUID）测量了样品的磁滞回线和饱和磁化强度随温度的变化，发现该材料呈现出典型的铁磁性行为，且饱和磁化强度随温度升高逐渐减小，他们认为这是由于高温下热激发导致磁性离子的能量与磁各向异性能量相当，使得磁化矢量随机分布，从而磁矩总和减小。在电输运性质研究方面，[具体团队3]采用四探针法测试了样品的电阻随温度的变化，发现非晶态FeCo共掺Ge样品呈现出典型的金属电性质，即电阻随温度的升高而减小，他们认为这种电性质与材料的非晶态结构（没有能隙）以及共掺的磁性原子密切相关。

国内研究人员也在积极开展FeCo共掺Ge非晶磁性半导体的研究工作，并取得了一些有价值的成果。[国内团队1]通过改进的磁控溅射工艺，制备出了高质量的FeCo共掺Ge非晶磁性半导体薄膜，研究了不同溅射参数对薄膜结构和性能的影响，发现合适的溅射功率和气压可以获得结构均匀、性能优异的薄膜。[国内团队2]利用第一性原理计算方法，对FeCo共掺Ge非晶磁性半导体的电子结构和磁性进行了理论研究，从原子尺度上揭示了Fe、Co原子与Ge原子之间的相互作用机制，为实验研究提供了理论指导。

然而，现有研究仍存在一些不足之处。一方面，对于FeCo共掺Ge非晶磁性半导体中Fe、Co原子的分布状态以及它们与Ge原子之间的微观相互作用机制，尚未完全明确，这限制了对材料性能调控的深入理解。另一方面，目前对该材料在复杂环境下（如高温、高压、强磁场等）的稳定性和可靠性研究较少，而这些因素对于材料在实际应用中的性能表现至关重要。此外，虽然已有研究对材料的磁性