液晶基础知识经典教材.pptVIP

CuttingProcess165432第61页，共92页。E.g.第1代面板第62页，共92页。E.g.第3.5代面板第63页，共92页。对设备的影响玻璃基板的尺寸变大直接音响电极图案形成设备。（Array）e.g.成膜设备：占地面积加大与确保膜厚均匀性等问题。e.g.湿式设备：更换效率与节省水等问题。切割尺寸增大直接影响面板组装设备。（CELL）e.g.液晶注入设备：处理时间过长等问题。次代交替快，产品生命周期短，厂商设备开发成本高。LCD面板世代资料来源：工研院经资中心ITIS计划书（2002/10）第64页，共92页。LCInjection(1)将容器抽真空将装有LC的容器上升与PANEL的注入端接触，此时LC通过毛细现象上升。过一段时间后充入洁净的空气或氮气破真空至常压。通过真空差压的原理，LC经过一段时间后充满PANEL。第65页，共92页。LCInjection(2)第66页，共92页。ColorFilterFabricationProcessTFTArrayProcessLiquidCrystalCellProcessModuleAssemblyProcessTFT-LCDProcess第29页，共92页。TFTArraypreview第30页，共92页。因TFT组件的动作类似一个开关(Switch)，液晶组件的作用类似一个电容，藉Switch的ON/OFF对电容储存的电压值进行更新/保持。SWON时信号写入(加入、记录)在液晶电容上，在以外时间SWOFF，可防止信号从液晶电容泄漏。在必要时可将保持电容与液晶电容并联，以改善其保持特性。TFTArray等效电路第31页，共92页。TFTArrayStructure第32页，共92页。AUnitPixelItsEquivalentCircuit(Csongate)第33页，共92页。TFT-ArrayManufacturingProcess第34页，共92页。TFT-ArrayProcessGateMetalSputterDepositonGateMetalPatterningUsing1stMASKDepositionofnta-Si/a-SVSiNx3-LayerUsingPECVDMethodPatterningofa-SilslandsUsing2ndMASKPixelITOSputerDepositionPixelITOPatterningUsing3rdMASK第35页，共92页。?这是5次光刻形成TFT图形，采用底栅背沟道刻蚀的工艺。以玻璃为基板。第一次光刻形成栅线原料为Cr。第二次光刻形成“硅岛”——SiNx，a-Si，n+-a-Si层，第三次光刻形成ITO导电膜，第四次光刻形成源极漏极，材料为Cr，并进行n+切断，基本形成TFT。最后第五次光刻形成SiNx保护膜。TFT-ArrayProcessDataBusLineandS/DMetalSputteringDataBusLineandS/DPatterningUsing4thMASKEtch-Backofn+a-SiUsingS/DLayerasaMASKPassivationSiNxDepositionUsingPECVDPassivationSiNxAtchUsingRIE第36页，共92页。PossibleDefectsonaTFTArray第37页，共92页。ApertureRatioofaPixelAPERTURERATIO=APERTURE/PIXELAREA*100%第38页，共92页。ColorFilterFabricationProcessTFTArrayProcessLiquidCrystalCellProcessModuleAssemblyProcessTFT-LCDProcess第39页，共92页。CellProcess第40页，共92页。CellProcess(1)第41页，共92页。Cleaning第42页，共92页。PICoating?CFTFT淡黃色800~1200?APR:AsahiPhotosensitiveResin第43页，共92页。PI制程原理将PI液滴在AniloxRol