半导体器件的材料物理基础 (2).pptVIP

问题讨论第29页，共49页，星期日，2025年，2月5日爱因斯坦关系中，扩散系数D，载流子的扩散第30页，共49页，星期日，2025年，2月5日载流子饱和速度公式

第31页，共49页，星期日，2025年，2月5日电阻率与击穿电压的关系雪崩击穿电压与轻参杂的n型材料的电阻率关系其中因子m和幂指数n对不同的器件制造工艺和材料电阻率略有些变化。第32页，共49页，星期日，2025年，2月5日第三节少数载流子寿命载流子寿命的概念少数载流子寿命与器件特性载流子的复合及复合寿命第33页，共49页，星期日，2025年，2月5日载流子寿命的概念是半导体从载流子密度不平衡状态恢复到热平衡状态的弛豫过程所需时间的量度。一般情况下额外载流子的注入和抽取对少数载流子的密度影响很大，热平衡的恢复主要是少数载流子热平衡的恢复，所以τ总被称作少数载流子寿命。第34页，共49页，星期日，2025年，2月5日少子寿命与器件特性半导体器件工作过程中，同时存在载流子漂移、扩散、复合；漂移：电场力的作用，外加或内建电场；扩散：载流子浓度梯度；与少子寿命相关的器件特性：阻断特性、开关特性、导通特性等；第35页，共49页，星期日，2025年，2月5日第1页，共49页，星期日，2025年，2月5日基本特性参数禁带宽度Eg临界雪崩击穿电场强度Et介电常数ε载流子饱和速度Vs载流子迁移率μ载流子密度n(p)少数载流子寿命τ第2页，共49页，星期日，2025年，2月5日第一节迁移率迁移率的定义载流子迁移率与器件特性载流子迁移率的影响因素第3页，共49页，星期日，2025年，2月5日载流子迁移率的定义载流子迁移率μ:自由载流子在单位电场作用下的平均漂移速度。弱电场下，μ为常数；强电场下，μ随电场增加而减小第4页，共49页，星期日，2025年，2月5日载流子迁移率与器件特性载流子迁移率μ是决定半导体材料电阻率ρ大小的两个重要参数之一。第5页，共49页，星期日，2025年，2月5日电流承受能力和载流子迁移率有关双极器件pn结二极管为例，在外加电压U作用下，电流密度j满足肖克莱方程第6页，共49页，星期日，2025年，2月5日载流子迁移率与扩散系数的关系爱因斯坦关系在确定温度下，扩散系数的大小有迁移率唯一决定第7页，共49页，星期日，2025年，2月5日载流子迁移率与器件的工作频率双极晶体管频率响应特性最重要的限制，是少数载流子渡越基区的时间第8页，共49页，星期日，2025年，2月5日载流子迁移率大小的影响因素散射对载流子的迁移率具有重要影响主要的散射机构有：晶格振动散射、电离杂质散射、载流子之间的散射等体材料中载流子散射以及表面散射第9页，共49页，星期日，2025年，2月5日晶格振动的散射用电子和声子相互作用来描述。在轻参杂时，占主导地位。载流子被晶格散射过程，可以是吸收或发射声学声子，也可以是吸收或发射光学声子。第10页，共49页，星期日，2025年，2月5日两个常用的经验公式电子迁移率：空穴迁移率：第11页，共49页，星期日，2025年，2月5日电离杂质的散射半导体的杂质，电离后以静电力对运动于附近的电子和空穴产生散射作用。低温重掺杂时起主要作用完全由电离杂质散射决定载流子迁移率大小时，迁移率与温度和电离杂质的浓度呈下列关系第12页，共49页，星期日，2025年，2月5日载流子之间的散射载流子对载流子的散射是运动着的多个电荷环绕其公共质心的相互散射。相同极性载流子散射对迁移率没有影响或很小。相反极性的载流子之间的散射可以使双方动量的弛豫，使迁移率下降。只考虑载流子散射作用的载流子迁移率：第13页，共49页，星期日，2025年，2月5日强电场作用下的载流子散射弱电场下，μ为常数；强电场下，μ随电场增加而减小强电场下载流子漂移速度偏离弱场规律，主要有两种表现：速度饱和效应负微分迁移率现