《单片机嵌入式系统及应用》课件（下）.pptxVIP

1;2;;4;5;6;7;8;9;10;11;12;对AT28C64的读写

对AT28C64的读写和SRAM相同，无非是写入时间略长。在写入命令发出后，需要判断写入过程是否结束。工程上常采取延时的方法或查询I/O7，也就是所谓的轮询功能。轮询功能是指在28C64写入期间，如果读取I/O7上的数据，则得到最后一次写入数据的补码，即如果在I/O7写入的数据为逻辑“1”，则读出的数据为“0”；反之，如果在I/O7写入的数据为逻辑“0”，则读出的数据为“1”。当写入过程结束，则从I/O7引脚读出的数据是真实的写入数据。

;14;15;16;17;18;19;20;21;22;23;24;25;26;27;28;29;30;31;32;33;34;35;36;37;38;39;40;41;42;(1)置位写使能锁存器命令—WREN;图9-13WREN命令的时序图;(2)写禁止命令—WRDI

WRDI命令禁止所有的写操作。在写操作被禁止的情况下，状态寄存器的WEL=0。图9-14是WRDI命令时序图。

;(3)读状态寄存器命令—RDSR

读状态寄存器命令RDSR允许主器件校验状态寄存器的内容。状态寄存器提供了写保护当前状态。在RDSR命令之后，FM25040B返回单字节的状态寄存器内容。状态寄存器详细描述见“状态寄存器和写保护”。图9-15是RDSR命令时序图

;(4)写状态寄存器命令—WRSR

WRSR命令允许用户向单字节的状态寄存器做写操作而确定写保护作用的范围或者不起保护作用。在发出WRSR命令之前，必须为高或者无效。在发出WRSR命令之前，WREN命令必须先发出。注意，WRSR命令是写操作，且执行完毕后将清除写使能锁存器，WRSR对应的总线时序图如图9-16所示。

;图9-16WRSR命令的时序图;(5)状态寄存器和写保护

FM25040B的写保护特点是多层次的。首先，在任何写操作之前，WREN命令必须发出。如果写命令已经发出，引脚和状态寄存器控制存储器的操作。如果为低，全部存储器被写保护；如果为高，存储器的写保护由状态寄存器决定。状态寄存器结构如表9-3所示。

;其中，位4-7和位0为“0”，且不能被修改。注意，因为FRAM存储器没有写延迟，存储器不会出向“忙”现象，因此将位0设为逻辑“0”，而在EEPROM中，位0的意义为。非易失的BP1和BP0表示写保护的区域。WEL表示写使能锁存器的状态，由WREN命令置位，由WRDI命令或写周期结束时(变高)???除。BP1和BP0是存储器模块写保护位，不同的BP1、BP0保护不同的存储器模块，表9-4为对应的保护范围。

;表9-4FM25040B的存储器写保护范围;(6)存储器的写操作

和SPI总线的EEPROM不同，FM25040B能够以总线速度执行一系列的写操作，且不需要页寄存器，可执行任意数量的写操作。

所有的存储器写操作均以操作命令WREN开始。然后，主器件发出写命令操作码。写命令操作码包括存储器地址的高位，操作码的位3对应于字节地址的A8；下一字节是存储器地址的低8位A7-A0。这样，9位地址确定了要写入数据的第一字节的地址。紧接着的字节是要写入的数据。数据的内部地址随主器件不断发出的时钟增加而增加。如果最后一个地址达到1FFH，计数器将回归到0。写操作时首先发送数据的MSB。和EEPROM不同，FM25040B可以连续写入多个字节的数据，且每个字节在输入8个时钟后立即写入。在片选信号的上升沿结束一次写操作。图9-17是存储器写的时序图。

;图9-17FM25040B的存储器写时序图;(7)存储器的读操作

在片选信号的下降沿，主器件可以发出读操作指令码。操作码包括存储器地址的高位，紧接着的是存储器地址的低8位。这样，9位地址确定了要读出数据的第一字节的地址。在主器件输出完整地读操作码之后，SI被忽略。然后，主器件发出8个时钟脉冲，每个时钟脉冲对应于一位数据输出，数据的内部地址随主器件不断发出的时钟增加而增加。如果地址到达1FFH，计数器回归000H。读首先读MSB。在片选信号的上升沿结束一次读操作。图9-18是存储器读的时序图。

;图9-18FM25040B的存储器读时序图;(8)总线挂起命令—HOLD

引脚用于中断串行操作而不终止。若SCK=0，主器件将拉低，则当前操作暂停；若SCK=0，主器件将拉高，则恢复操作。 必须在SCK=0时变化，而SCK则可在挂起状态器件变化。

FM25040B和AT89S52的接口

AT89