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氧化锌基阻变器件：从构建到开关特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，数据存储技术在现代社会中扮演着举足轻重的角色。从个人电子设备到大规模数据中心，对存储器件的性能要求不断提高，包括更高的存储密度、更快的读写速度、更低的功耗以及更好的稳定性和可靠性。传统的存储技术，如闪存（FlashMemory），在面对日益增长的数据存储需求时，逐渐显露出其局限性，如存储密度接近物理极限、读写速度受限、功耗较高等问题。因此，研发新型存储技术成为了当前信息领域的研究热点之一。

阻变存储器（ResistiveRandomAccessMemory，RRAM）作为一种极具潜