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电源上篇六部分物料特性及应用概述.pdfVIP

电源上篇六部分物料特性及应用概述.pdf

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    1N5817,1N5818,1N5819

    1N5817and1N5819arePreferredDevices

    AxialLeadRectifiers

    ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–

    to–siliconpowerdiode.State–of–the–artgeometryfeatureschrome

    barriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetal

    overlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow–voltage,

    high–frequencyinverters,freewheelingdiodes,andpolarity

    protectiondiodes.

    •ExtremelyLowVFSCHOTTKYBARRIER

    •LowStoredCharge,MajorityCarrierConductionRECTIFIERS

    •LowPowerLoss/HighEfficiency1.0AMPERE

    MechanicalCharacteristics20,30and40VOLTS

    •Case:Epoxy,Molded

    •Weight:0.4gram(approximately)

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