第九章半导体异质结结构讲课文档.pptVIP

合与前节所讨论的情况相同，计及电子在平行于结平面准二维运动的能量，势阱中电子的能量为在i取定后，由不同(kx,ky)取值的电子能态组成能带，可求的子带的态密度Di(E)及总态密度仍由(9-83)和(9-84)表示。量子阱中电子态的主要特征有图表示(9-97)第60页，共91页。2.价带量子阱中的空穴能态在量子阱中轻、重空穴的简并消除了，由于轻、重空穴有效质量的不同，它们所受到的量子尺度效应不同，因而量子化束缚态能级分裂程度不同，重空穴束缚态能级分布较密，而轻空穴束缚态能级分布较稀。如图(a)给出GaAs价带量子阱中空穴束缚态能级分布图的示意图，图(b)为量子阱中束缚态能级的完整图像。第61页，共91页。3.量子阱中的激子半导体中电子和空穴因库仑力相互作用可形成束缚的电子、空穴对，称为激子。在半导体量子阱中电子和空穴也可因库伦作用而形成激子，所不同的是，激子是处于封闭的量子阱中，受到量子尺寸效应的限制，是准二维的。当量子阱宽度l减小时，电子和空穴间的库伦相互作用增强，激子半径减小，因而其结合能较体材料中激子的结合能强得多。由于价带量子阱中同时存在束缚态轻、重空穴，因而有轻空穴和重空穴之分。第62页，共91页。1.如图给出了双势垒单量子阱样品的电流—电压特性和导电—电压特性。在图(a)中可以看到由势阱中部到左电极的电压降为外加电压的一半时，费米能级EF的升高等于势阱中能级E1故有，V1为共振时加的电压，此处对应于第一次共振隧穿。同理当外加电压升高至V2，使左方EF下导带中的电子与E2对齐时发生第二次共振隧穿如图(c)所示，此时。第63页，共91页。上图看到在(c)处附近发生明显的负微分电阻区，表明该处出现负阻效用。随着外延材料质量及器件设计技术的改进，有报道用共振隧穿二极管在4.2K低温下测得尖锐的电流—电压曲线如图所示。图中右上方小图表示所用样品结构及其能带图。由图中可看到有尖锐的共振隧穿电流峰和很强的微分负阻效应。第64页，共91页。(9-44)(9-46)(9-45)(9-48)(9-47)第28页，共91页。以上所得公式，将下标1与2互换之后，就能用于突变np异质结。突变反型异质结的势垒电容，可以用和计算普通pn结的势垒电容类似的方法计算如下：将（9-13）代入（9-12）得将式（9-43）代入（9-49）得(9-50)(9-49)第29页，共91页。有微分电容C=dQ/dV，即可求的单位面积势垒电容和外加电压的关系为：若结面积为A，则势垒电容为将（9-52）写成如下形式(9-53)(9-52)(9-51)第30页，共91页。可见，与外电压V呈线性关系。而直线的斜率是若已知一种半导体材料中的杂质浓度，则由斜率可算出另一种半导体材料中的杂质浓度。对于突变同型异质结，禁带宽度小的半导体一侧是积累层，禁带宽度大的半导体一侧是耗尽层。从电中性条件和泊松方程求得的接触电势差为超越函数。有关公式如下：(9-54)第31页，共91页。在时，有(9-57)(9-56)(9-55)第32页，共91页。以上各式nn异质结在热平衡状态下求得的。安迪生证明，对于nn异质结，在杂质时，用类似于金属—半导体接触间的电容方法，得到每单位面积结电容公式为作1/C2对V的直线，从直线斜率，可以求出半导体2的施主杂质浓度ND2。如将施主杂质浓度改为受主杂质浓度，结得到适用于pp异质结的公式。(9-58)第33页，共91页。如图半导体异质pn结界面导带连接处存在一势垒尖峰，根据尖峰高低的不同有两种情况。图a表示势垒尖峰低于p区导带底的情况，称为低势垒尖峰情况，图b表示势垒尖峰高于p区导带底的情况，称为高势垒尖峰情况§9.2半导体异质pn结的电流电压特性及注入特性第34页，共91页。根据上述，低尖峰势垒情形是异质结的电子流主要有扩散机制决定，可用扩散模型处理，如图9.11中图a和图b分别表示其零偏压时和正偏压时的能带图。p型半导体中少数载流子浓度n10与n型半导体中多数载流子浓度的关系为：取交界面x=0，当异