第二章半导体中杂质和缺陷能级讲课文档.pptVIP

第1页，共28页。1、杂质与杂质能级（1）杂质半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。（2）杂质来源无意掺入有意掺入（3）杂质在半导体中的分布状况替位式杂质间隙式杂质杂质出现在半导体中时，产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏。第2页，共28页。（4）杂质能级杂质引起的电子能级称为杂质能级。通常位于禁带之中的杂质能级对半导体性能有显著影响。EgECEV杂质能级第3页，共28页。2、施主能级杂质电离后能够施放电子而产生自由电子并形成正电中心（正离子）。这种杂质称为施主杂质。以硅为例：在硅单晶中掺入磷（P）等V族元素。电离施主导带电子硅原子（1）施主杂质第4页，共28页。在Si单晶中，V族施主替位杂质的两种荷电状态的价键(a)电离态(b)中性施主态第5页，共28页。施主能级（2）施主电离施主未电离时，在饱和共价键外还有一个电子被施主杂质所束缚，该束缚态所对应的能级称为施主能级。特征：

①施主杂质电离，导带中出现

施主提供的导电电子；

②电子浓度大于空穴浓度，

即np。掺入施主的半导体以电子导电为主，被称为n型半导体ECEV第6页，共28页。施主电离能△ED=EC-EDEgECEV施主能级ED△ED=EC-EDSi、Ge中V族杂质的电离能晶体杂质磷P砷As锑Sb硅Si锗Ge0.0440.01260.0490.01270.0390.0096第7页，共28页。施主电离过程示意图施主杂质电离的结果：导带中的电子数增加了，这就是掺施主杂质的意义所在。第8页，共28页。3、受主能级束缚在杂质能级上的空穴被激发到价带EV，成为价带空穴，该杂质电离后成为负电中心（负离子）。这种杂质称为受主杂质。或定义为：能够向半导体提供空穴并形成负电中心的杂质。以硅为例：在硅单晶中掺入硼（B）等III族元素。电离受主价带空穴硅原子（1）受主杂质第9页，共28页。在Si单晶中，III族受主替位杂质的两种荷电状态的价键(a)电离态(b)中性受主态第10页，共28页。受主能级（2）受主电离受主杂质电离后所接受的电子被束缚在原来的空状态上，该束缚态所对应的能级称为受主能级。特征：

①受主杂质电离，价带中出现

受主提供的导电空穴；

②空穴浓度大于电子浓度，

即pn。掺入受主杂质的半导体以空穴导电为主被称为p型半导体ECEV第11页，共28页。受主电离能△EA=EA-EVEgECEV受主能级EASi、Ge中Ⅲ族杂质的电离能晶体杂质硼B铝Al铟In硅Si锗Ge△EA=EA-EV镓Ga0.0450.0570.0650.1600.010.010.0110.011第12页，共28页。受主电离过程示意图受主杂质电离的结果：价带中的空穴数增加了，这就是掺受主杂质的意义所在。第13页，共28页。4、浅能级杂质（1）浅能级杂质的特点一般是替位式杂质施主电离能△ED远小于禁带宽度△Eg，通常为V族元素。受主电离能△EA远小于禁带宽度△Eg。通常为III族元素。第14页，共28页。（2）浅能级杂质的作用改变半导体的电阻率；决定半导体的导电类型。（3）控制杂质浓度的方法在单晶生长过程中掺入杂质在高温下通过杂质扩散的工艺掺入杂质离子注入杂质在薄膜外延工艺过程中掺入杂质用合金工艺将杂质掺入半导体中第15页，共28页。5、浅能级杂质电离能的简单计算氢原子满足：解得电子能量：氢原子基态能量：氢原子自由态能量：故基态电子的电离能：（1）氢原子基态电子的电离能n=1,2,3,……第16页，共28页。（2）用类氢原子模型估算浅能级杂质的电离能浅能级杂质=杂质离子+束缚电子（或空穴）第17页，共28页。正、负电荷所处介质的介电常数为：电势能：施主电离能：受主电离能：（mn*和mp*分别为电导有效质量）(3)(4)估算结果与实际测量值有误差，但数量级