第七章光伏探测器讲课文档.pptVIP

第五章光伏探测器（2）光谱特性第27页，共51页。第五章光伏探测器（3）温度特性第28页，共51页。第五章光伏探测器（4）频率特性第29页，共51页。第五章光伏探测器3.光电池的应用①作为光电探测器件②将太阳能转变为电能第30页，共51页。第五章光伏探测器二、光电二极管1.p-n结光电二极管（1）硅光电二极管的结构及工作原理第31页，共51页。第五章光伏探测器第32页，共51页。第五章光伏探测器第33页，共51页。第五章光伏探测器（2）伏安特性第34页，共51页。第五章光伏探测器第35页，共51页。第五章光伏探测器2.PIN光电二极管第36页，共51页。第五章光伏探测器第37页，共51页。第五章光伏探测器3.雪崩光电二极管（APD）（1）工作原理——雪崩效应第38页，共51页。第五章光伏探测器（2）雪崩光电二极管的结构第39页，共51页。第五章光伏探测器第40页，共51页。第1页，共51页。第五章光伏探测器情况1：不均匀半导体PN结：同质掺杂异质结：不同质的半导体肖特基势垒：金属和半导体内在电场：光→半导体→电子空穴对运动→积聚→电位差情况2：均匀半导体体积光生伏特效应，没有内电场。光→半导体的一部分→电子空穴对→浓度不同→扩散→扩散速度不同→电荷分开→光生电伏（丹信效应）电子空穴对两种电荷分开→（光磁电效应）丹信效应体积光生伏特效应光磁电效应第2页，共51页。第五章光伏探测器一、由势垒效应产生的光生伏特效应图5-1(a)势垒形成图(b)能级图当光照时，在p，n和势垒区产生光生载流子。P中电子，N中空穴，只要扩散长度大于到阻挡层距离，成为少子在电场中加速到对方→降低了阻挡层的势垒→有外电路→电流流过。第3页，共51页。第五章光伏探测器公式推导：经5.1-1-5:pn结反向饱和电流（pn结的伏安特性）:光生电流：和入射单色辐射的功率P有关系:(由量子效率的定义）pn结伏安特性在V=0处的动态电阻：电压响应率:第4页，共51页。第五章光伏探测器二、由光生载流子浓度梯度引起的光生伏特效应对于均匀的半导体：光→半导体:表面:浓度高体内:浓度低载流子沿光照方向体内扩散：一般：电流方向和光照方向相反→形成光生电场→少子的漂移运动总电流密度：第5页，共51页。第五章光伏探测器平衡时：此时5.1-14式=0于是：积分：结论：和成正比，只有时才可以产生光生伏特效应。②小信号时：大信号时：③均匀半导体放于磁场中，将会产生空穴和电子分离，引起光磁电效应。由此产生的光生载流子短路电流：第6页，共51页。第五章光伏探测器图5-3用途：⑴测量载流子的寿命⑵用作红外探测器⑶需要大磁铁⑷在相当大的光强度范围内，开路电压和光强度成正比第7页，共51页。第五章光伏探测器三、光照下理想p-n结方程及特性曲线由固体物理可知：p-n结上的电压V和流过它的电流Ip的伏安特性：光照时光电流：流过p-n结外回路的总电流I：分析：见图5-4第8页，共51页。第五章光伏探测器情况1：第一象限：p-n结加正偏压。此时pn结的暗电流ID即是p-n结的正向电流，很大，大于光生电流，非工作区。第三象限：p-n结反偏。第9页，共51页。第五章光伏探测器一、响应率在弱光照射情况下，上式可近似为将光电流代入得反向饱和电流为由此可知，光伏探测器的响应率与器件的工作温度T及少数载流子浓度和扩散有关，而与器件的外偏压无关，这与光电导探测器是不同的。§5-2光伏探测器的性能参数第10页，共51页。第五章光伏探测器二、噪声光伏探测器的噪声主要包括器件中光生电流的散粒噪声、暗电流噪声和器件的热噪声，其均方噪声电流为光电流和暗电流引起的散粒噪声是主要的第11页，共51页。第五章光伏探测器1.无光照时2.有光照时流过p-n结的电流有。总的噪声电流均方值为有弱光照射时，有