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受主氧化物掺杂对钛酸钡基PTC陶瓷电性能与微结构影响的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术飞速发展的背景下，电子元器件的性能对于各类电子设备的功能实现和性能提升起着至关重要的作用。钛酸钡基PTC陶瓷作为一种具有独特正温度系数电阻特性的功能陶瓷材料，自20世纪50年代被发现以来，在电子和电气工程领域展现出了极为重要的应用价值，成为电子陶瓷产业的支柱性材料之一。

钛酸钡基PTC陶瓷具有高介电常数、低介电损耗、较大的电阻率、高耐压强度和优异的绝缘性能等特性，这些特性使其在多层陶瓷电容器（MLCC）、热敏电阻器（PTCR）、电光器件和动态随机存储器（FRAM）等