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基于ARM的扩散氧化控制系统：设计、实现与优化

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，集成电路作为现代电子设备的核心部件，其制造工艺的精度和性能要求不断提高。扩散氧化工艺是集成电路制造中的关键环节，它直接影响着芯片的性能、可靠性和成本。扩散氧化控制系统作为实现扩散氧化工艺的核心设备，其性能的优劣对集成电路的质量和生产效率起着至关重要的作用。

传统的扩散氧化控制系统存在着诸多问题，如控制精度低、响应速度慢、稳定性差等，难以满足现代集成电路制造对高精度、高稳定性和高效率的要求。因此，开发一种高性能的扩散氧化控制系统具有重要的现实意义。

ARM（AdvancedRISCMac