内嵌扰流式微通道TSV转接板：工艺剖析与特性洞察.docx

内嵌扰流式微通道TSV转接板：工艺剖析与特性洞察

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，电子设备正朝着小型化、高性能化和多功能化的方向迈进。在这一发展趋势下，集成电路的集成度不断提升，芯片之间的互联需求也日益增长。传统的二维互联技术已难以满足日益增长的高性能需求，基于硅通孔（ThroughSiliconVia，TSV）技术的转接板应运而生，成为实现三维集成的关键技术之一。TSV转接板能够在硅基板上实现垂直方向的电气连接，极大地缩短了信号传输路径，提高了信号传输速度，降低了信号延迟和功耗，同时实现了芯片之间的高密度互联，有效提升了电子设备的性能和集成度。

然而，随着芯片