半导体材料的发展现状及趋势.pptVIP

表7?SiC器件的研究概表SiCDevicesPowerMOSFET4H-SiCMESFET6H-SiCMESFET4H-SiCJFET6H-SiCJFETShottkydiodecomment600V，8Adevicesfabricatedfmax=42GHzfmax=25GHz,8.5dbat10GHzμeff=340cm2·V-1·S-1at300KEnhance-mentmodeOver1kVbreakdownat300KTm（K）673673673723873973注：Tm为Maximumoperatingtemperature第61页，共93页，星期日，2025年，2月5日国外对SiC器件的研究证明了SiC器件的抗辐射的能力。6H-SiC整流器的抗电磁脉冲(EMP)能力至少是硅器件的2倍。实验结果表明结型6H-SiC器件有较强的抗下辐射的能力。埋栅JFET在γ辐射条件下的测试结果，总剂量100兆拉德条件下，跨导和夹断电压基本不变。第62页，共93页，星期日，2025年，2月5日对125伏和410伏6H-SiCpn结整流器进行中子辐照实验，中子流从1013nA/cm2，到1015nA/cm2，时，辐照前后1000mA电流的正向压降和雪崩击穿电压的测试结果说明：具有高掺杂的125伏整流器在正向电流400mA的降压几乎不变(30伏)，而雪崩击穿电压仅增加了8.8%，而低掺杂的410伏整流器正向压降和雪崩击穿电压分别增加了8.6%和4%。第63页，共93页，星期日，2025年，2月5日GaN在宽禁带半导体中也占有主导地位。GaN半导体材料的商业应用研究始于1970年，其在高频和高温条件下能够激发蓝光的特性一开始就吸引了半导体开发人员的极大兴趣。但GaN的生长技术和器件制造工艺直到近几年才取得了商业应用的实质进步和突破。由于GaN半导体器件在光电子器件和光子器件领域广阔的应用前景，其广泛应用预示着光电信息乃至光子信息时代的来临。第64页，共93页，星期日，2025年，2月5日1993年日本的日亚化学公司研制出第一支蓝光发光管，1995年该公司首先将GaN蓝光LED商品化，到1997年某市场份额已达1.43亿美元。据StrategiesUnlimited的预测，GaN器件年增长率将高达44%，到2006年其市场份额将达30亿美元。目前，日亚化学公司生产蓝光LED，峰值波长450nm，输出光为3mw，发光亮度2cd(Ip=20mA)。GaN绿光LED，峰值波长525nm，输出光功率为2mw，发光亮度6cd(Ip=20mA)。第65页，共93页，星期日，2025年，2月5日日亚化学公司利用其GaN蓝光LED和磷光技术，又开发出白光固体发光器件产品，不久将来可替代电灯，既提高灯的寿命，又大大地节省能源。因此，GaN越来越受到人们的欢迎。第66页，共93页，星期日，2025年，2月5日多晶硅中国多晶硅严重短缺，远不能满足国内市场需求。多晶硅工业起步于50年代，60年代实现工业化生产。由于技术水平低、生产规模太小、环境污染严重、生产成本高，目前只剩下峨嵋半导体材料厂和洛阳单晶硅厂2个厂家生产多晶硅。中国多晶硅的产能为100吨/年，实际产量是70～80吨，仅占世界产量的0.4%，与当今信息产业的高速发展和多晶硅的市场需求急剧增加极不协调。我国这种多晶硅供不应求的局面还将持续下去。据专家预测，2005年中国多晶硅年需求量约为756吨，2010年为1302吨，市场前景十分巨大。第29页，共93页，星期日，2025年，2月5日多晶硅峨嵋半导体材料厂和洛阳单晶硅厂1999年多晶硅生产能力分别为60t/a和20t/a。峨嵋半导体材料厂1998年建成的100t/a规模的多晶硅工业性生产示范线，提高了各项经济技术指标，同时该厂正在积极进行1000t/a多晶硅项目建设的前期工作。洛阳单晶硅厂将多晶硅产量扩建至300t/a。第30页，共93页，星期日，2025年，2月5日多晶硅未来多晶硅的发展方向是进一步降低各种杂质含量，提高多晶硅纯度并保持其均匀性，稳定提高多晶硅整体质量和扩大供给量，以缓解供需矛盾。另外，在单晶大直径化的发展过程中，坩埚增大直径是有一定限度的。对此，未来粒状多晶硅将可能逐步扩大供需量。第31页，共93页，星期日，2025年，2月5日（2）单晶硅和外延片???生产单晶硅的工艺主要采用直拉法(CZ)、区熔法(FZ)、磁场直拉法(MCZ)以及双坩埚拉晶法。CZ、FZ和MCZ单晶各自适用于不同的电阻率范围的器件，而MCZ可完全代替CZ，可部分代替FZ。MCZ将取代CZ成为高速ULI材料。一些硅