点缺陷对Cr20Ni80合金电性能影响的第一性原理研究.pdfVIP

《热加工工艺》2021年12月第50卷第24期

点缺陷对Cr20Ni80合金电性能影响的

第一性原理研究

李亚敏，张瑶瑶

(兰州理工大学省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室，甘肃兰州730050)

摘要：采用第一性原理计算和实验相结合的方法研究了空位及反位缺陷对Cr20Ni80合金电学性能的影响。构建

了Cr20Ni80合金的超晶胞模型，计算了有无空位及反位缺陷时晶胞的形成能、态密度和能带结构，揭示了空位和反位

缺陷对合金电学影响的本质原因；采用X射线衍射、电阻率测试等方法验证了空位对合金电学性能的影响。结果表明：

空位及反位缺陷导致晶胞产生晶格畸变；空位及反位缺陷使合金导带的能量范围变窄，合金的电阻增大。空位对合金电

阻率的影响与第一性原理计算结果的趋势相一致。

关键词：空位和反位缺陷；电性能；第一性原理

DOI:10.14158/j.cnki.1001-3814.

中图分类号：TG146.1文献标识码：A文章编号：1001-3814(2021)24-0069-05

First-principlesStudyonInfluenceofPointDefectsonElectricalProperties

ofCr20Ni80Alloy

LIYamin,ZHANGYaoyao

(StateKeyLaboratoryofAdvancedProcessingandRecyclingofNon-ferrousMetals,LanzhouUniversityofTechnology,

Lanzhou730050,China)

AbstractT：heinfluenceofvacancyandanti-sitedefectsontheelectricalpropertiesofCr20Ni80alloywasstudiedby

firstprinciplesandexperiments.Cr20Ni80supercellmodelwasconstructed.Theformationenergy,densityofstatesandband

structureoftheunitcellwithorwithoutvacancyandanti-sitedefectswerecalculated,andtheessentialreasonoftheeffectof

vacancyandanti-sitedefectsontheelectricalpropertiesofthealloyw