2025年材料科学基础03B卷 .pdfVIP

海纳百川，有容乃大；壁立千仞，无欲则刚。——林则徐

东南大学考试卷

课程名称材料科学基础适用专业材料科学与工程考试学期

考试形式闭卷满分100考试时间分钟共页得分

材料科学基础（Ⅱ）期终考试试卷（B卷）

学号：姓名：得分：

一、选择题（请在下列各题的备选答案中选择最合适的一个答案，共32分）

1、在晶体滑移过程中，

(1)由于位错不断移出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少；

(2)由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增高；

(3)由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少；

(4)由于位错的消失（移出滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变。

2、柯垂尔（Cottrell）气团是

(1)由于空位在位错芯区域的聚集而形成；

(2)由于溶质原子在位错芯区域的聚集而形成；

(3)由于位错的交割而形成；

(4)由于溶质原子聚集在层错而形成。

3、分散（颗粒）强化的效果和

(1)颗粒的体积百分数有关，颗粒的体积百分数越低，强化效果越好；

(2)颗粒的大小有关，颗粒越小，强化效果越好；

(3)颗粒的硬度有关，颗粒越软，越容易被位错切割，强化效果就越好；

(4)颗粒的晶体结构有关，颗粒的致密度越高，强化效果越好。

4、强化金属材料的各种手段，考虑的出发点都在于：

(1)制造无缺陷的晶体或设置位错运动的障碍；

(2)使位错增殖；

(3)适当减少位错。

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吾日三省乎吾身。为人谋而不忠乎?与朋友交而不信乎?传不习乎?——《论语》

5、再结晶过程包含晶粒的形核与长大：

(1)形核与长大的驱动力都来源于形变储存能；

(2)形核与长大的驱动力都来源于晶界能；

(3)形核的驱动力来源于储存能，长大的驱动力来源于晶界能；

(4)形核的驱动力来源于晶界能，长大的驱动力来源于储存能；

(5)形核与长大的驱动力都有赖于外部提供能量。

6、A与B为同种材料经相同变形后的两批试样，不同的是A试样经过了回复，对这两

批材料而言：

(1)A试样的再结晶温度较高；

(2)B试样的再结晶温度较高；

(3)A试样与B试样具有相同的再结晶温度；

(4)两试样的再结晶温度不好比较。

7、某fcc单晶体塑变时出现二组平行的交叉的滑移线，则塑变处于：

(1)易滑移阶段；

(2)线性硬化阶段；

(3)动态回复阶段。

8、塑性变形使材料：

(1)强度↑，点、线缺陷↑，电阻率↓，塑性↓；

(2)强度↓，点、线缺陷↓，电阻率↑，塑性↑；

(3)强度↑，点、线缺陷↑，电阻率↑，塑性↓；

(4)强度↑，点、线缺陷↑，电阻率↓，塑性↑。

9、金属在冷形变时要消耗较多的能量，这个能量中：

(1)大部分转化为热，小部分以储存能形式保留在金属中；

(2)大部分以储存能形式保留在金属中，小部分转化为热；

(3)全部以储存能形式保留在金属中。

10、形变合金再结晶度，其晶粒大小和形变量及再结晶退火工艺有关

(1)形变量越大，则晶粒尺寸越大；

(2)再结晶退火温度越高，晶粒越细；

(3)再结晶退火时间越长，晶粒越细；

(4)形变量越大，则晶粒越细。

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