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Chapter4Metal–Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorsFundamentalofSemiconductorDevices耗尽区宽度的计算公式是器件工作在线性和饱和区表面势和衬底费米势之差等于二倍费米势。第126页，共189页，星期日，2025年，2月5日Chapter4Metal–Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorsFundamentalofSemiconductorDevices器件的寄生参量与工作状态密切相关，下表给出器件不同工作区内上述寄生电容的近似估值：第127页，共189页，星期日，2025年，2月5日Chapter4Metal–Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorsFundamentalofSemiconductorDevicesMOSFET的高频优值
High-FrequencyFiguresofMerit
forMOSFETMOSFET最重要的高频优值是ωT和ωmax即器件的电流增益与功率增益分别降为1时对应的频率。第128页，共189页，星期日，2025年，2月5日Chapter4Metal–Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorsFundamentalofSemiconductorDevicesωT导出时一般都假定漏极短路，栅极由理想电流源驱动。漏极短路，ωT与Cdb无关栅极由理想电流源驱动时栅极串联电阻的影响可不计，于是第129页，共189页，星期日，2025年，2月5日Chapter4Metal–Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorsFundamentalofSemiconductorDevices为1时对应的ω即ωT，故对长沟道器件第130页，共189页，星期日，2025年，2月5日Chapter4Metal–Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorsFundamentalofSemiconductorDevices功率增益为1时对应的ω是ωmax，计算并不容易，所以，需作如下假设：漏极短路；忽略栅、漏通过CGD的前馈第131页，共189页，星期日，2025年，2月5日Chapter4Metal–Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorsFundamentalofSemiconductorDevices于是，器件的输入功率为高频时ωT的幅值可表为第132页，共189页，星期日，2025年，2月5日Chapter4Metal–Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorsFundamentalofSemiconductorDevices不难证明输出电导为第133页，共189页，星期日，2025年，2月5日Chapter4Metal–Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorsFundamentalofSemiconductorDevicesMOS晶体管工作在饱和区时的电流为IDSS，UGS不同，IDSS也不同。
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