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集成电路基础工艺和版图设计测试试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.在CMOS反相器中，起负载作用的是（）。

A.两个增强型PMOS管

B.两个增强型NMOS管

C.一个增强型PMOS管和一个增强型NMOS管

D.一个耗尽型PMOS管和一个增强型NMOS管

2.以下哪个工艺步骤主要用来改变半导体晶圆表面的掺杂浓度？（）

A.光刻

B.薄膜沉积

C.扩散

D.离子注入

3.在集成电路版图中，不同金属层之间的连接通常通过（）实现。

A.跨越

B.通孔（Via）

C.并行布线

D.分支连接

4.光刻工艺中，定义图形最小特征尺寸的关键因素是（）。

A.光源波长

B.透镜焦距

C.覆盖层厚度

D.以上都是

5.以下哪种材料通常用作集成电路器件的有源区（沟道）？（）

A.重金属掺杂的N型硅

B.薄膜绝缘层

C.完全未掺杂的N型硅

D.P型掺杂的硅

6.在版图设计中，需要严格遵守的最小尺寸限制通常被称为（）。

A.布局规则

B.布线规则

C.设计规则

D.物理规则

7.金属互连层的厚度增加，其寄生电阻会（）。

A.减小

B.增大

C.不变

D.不确定

8.离子注入工艺中，注入离子的能量主要决定了（）。

A.掺杂区域的深度

B.掺杂区域的横向扩散程度

C.掺杂的原子种类

D.掺杂的浓度

9.以下哪项是导致器件阈值电压不稳定的常见原因？（）

A.掺杂浓度不均匀

B.氧化层缺陷

C.温度变化

D.以上都是

10.在数字集成电路版图中，电源网络（VDD）和地网络（GND）通常需要（）。

A.最宽的金属线

B.最窄的金属线

C.最复杂的布线

D.最小的接触孔

二、填空题（每空1分，共15分）

1.集成电路制造过程中，将电路图案转移到晶圆表面感光层的技术称为________。

2.通过在半导体材料中引入特定元素的离子来改变其导电性能的技术称为________。

3.薄膜沉积工艺可以在晶圆上形成各种功能层，如________、________和________。

4.版图设计中的“设计规则检查”（DRC）是为了确保版图设计符合________的要求。

5.MOSFET器件的导电类型由其栅极所加电压与________电压的相对大小决定。

6.在版图布线中，金属线之间的最小距离是为了避免产生________。

7.器件的寄生电容主要来源于栅极电容、________和金属互连线电容。

8.CMOS反相器中，PMOS管和NMOS管的栅极通常________连接在一起。

9.影响光刻分辨率的关键因素之一是感光材料的________。

10.为了保证电路的正常工作，版图中所有金属层都必须与其他层或半导体体之间通过________进行电气连接。

三、判断题（每题1分，共10分）

1.光刻工艺可以精确控制图形的尺寸和形状。（）

2.扩散和离子注入是两种相互排斥的工艺，不能同时使用。（）

3.版图设计规则主要关注器件的功能实现，与物理尺寸无关。（）

4.金属互连线的电阻主要取决于其长度和横截面积。（）

5.在CMOS电路中，增加晶体管的尺寸可以提高其驱动能力，但会降低工作频率。（）

6.离子注入后的掺杂浓度是均匀分布在整个注入区域的。（）

7.接触孔是连接不同金属层或金属层与半导体体之间的关键结构。（）

8.任何违反设计规则的版图都会导致芯片失效。（）

9.版图中的电源网络只需要提供电压，不需要考虑其布线的阻抗匹配问题。（）

10.CMOS电路由于只在工作状态消耗功率，因此静态功耗为零。（）

四、简答题（每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的基本流程及其在集成电路制造中的作用。

2.简述离子注入工艺的原理，并说明影响离子注入参数的主要因素。

3.什么是版图设计规则？请列举至少三条常见的版图设计规则及其原因。

4.简述寄生电阻和寄生电容对CMOS数字电路性能可能产生的影响。

五、计算题（10分）

假设有一条水平金属互连线，长度为1000μm，宽度为10μm，厚度为1μm。该金属材