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半导体物理期末试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.在晶体中，产生点缺陷的主要原因是：

A.晶体生长过程中的杂质掺入

B.晶体在高温或辐射下原子的迁移

C.晶体表面的原子缺失

D.晶体内部发生相变

2.对于直接带隙半导体，其电子从价带跃迁到导带所需能量：

A.大于间接带隙半导体

B.小于间接带隙半导体

C.等于间接带隙半导体

D.取决于光照强度

3.在半导体中，载流子浓度n和电子浓度Nc、本征载流子浓度ni的关系是：

A.n=Nc

B.n=ni2/Nc

C.n=ni*(Nc/Mi+Na)

D.n=ni

4.对于理想PN结，在零偏压下，耗尽层内：

A.只有电子

B.只有空穴

C.电子和空穴均存在，但数量很少

D.电子和空穴均不存在

5.当外加电压大于PN结的开启电压时，流过PN结的主要电流是：

A.饱和电流

B.反向饱和电流

C.扩散电流

D.漂移电流

6.在载流子漂移过程中，其主要运动方向是：

A.与电场方向相同

B.与电场方向相反

C.垂直于电场方向

D.随机运动

7.对于N型半导体，其多数载流子是：

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.正离子

8.MOSFET器件中，形成反型层（导电沟道）的条件是：

A.栅极电压低于阈值电压

B.栅极电压高于阈值电压

C.源极电压低于漏极电压

D.源极电压高于漏极电压

9.温度升高，半导体材料的载流子迁移率通常会：

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

10.当PN结反偏时，其耗尽层宽度：

A.变窄

B.变宽

C.不变

D.先变宽后变窄

二、填空题

1.晶体的周期性排列可以通过________和________两个基本参数来描述。

2.半导体中，能带理论认为，电子只能占据由原子能级扩展形成的________和________之中。

3.空穴可以被视为________带电的粒子，其运动实际上是________的空位移动。

4.热平衡时，半导体中电子浓度ni与温度T的________次方成正比。

5.PN结形成的内建电场方向是从________区指向________区。

6.在扩散电流中，载流子的运动是由于浓度梯度和________共同作用的结果。

7.BJT是一种________极性、三端半导体器件，其放大作用是基于________电流控制________电流。

8.MOSFET器件的输出特性曲线可以分为________区、________区和________区三个主要区域。

9.半导体材料的禁带宽度Eg越大，其导电性通常越________(填“好”或“差”)。

10.非晶态半导体通常具有________的电学特性，因为其结构缺乏长程有序性。

三、判断题

1.晶体缺陷总是对半导体的导电性有害。()

2.施主能级位于价带顶部之上，提供额外的导电电子。()

3.空穴浓度等于从导带跃迁到价带的电子浓度。()

4.PN结的耗尽层区域是电中性。()

5.当PN结外加正向电压时，耗尽层变宽。()

6.半导体中载流子的漂移运动是定向的，漂移电流方向与电场方向相同。()

7.N型半导体的少数载流子是空穴。()

8.MOSFET器件的栅极通常通过绝缘层与沟道隔离。()

9.二极管的反向电流饱和后，基本不随反向电压的变化而变化。()

10.温度升高，反向饱和电流增大。()

四、简答题

1.简述费米能级(Ef)在半导体中的物理意义。

2.解释什么是半导体的内建电场及其产生原因。

3.简述扩散电流和漂移电流的形成机制及主要区别。

4.简述BJT实现电流放大的基本原理。

五、计算题

1.已知硅的禁带宽度Eg=1.12eV，导带底的能级Ec=1.21eV(相对于费米能级)。若室温(T=300K)下费米能级位于禁带中部，计算价带顶的能级Ev。

2.一个理想PN结，在室温下，N区掺杂浓度Nd=1×1021cm?