- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
 - 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
 - 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
 - 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
 - 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
 - 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
 - 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
 
封面报道
CoverReport
碳化硅材料发展现状及标准体系分析
李素青
摘要:在半导体领域,碳化硅作为发展最为成熟的着新能源汽车、可再生能源等新兴产业的发展,碳化硅的
第三代半导体材料,是半导体界公认的“一种未来的材市场需求将会进一步增加。法国著名咨询公司Yole判断,
料”,发展第三代半导体产业的关键基础材料,预计在今受汽车应用的强劲推动,尤其是在EV主逆变器方面的需
后5年~10年将会快速发展并有显著成果出现。碳化硅求,碳化硅市场将高速增长,预计到2027年碳化硅功率
具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及器件的市场规模将达到63亿美元。据CASA统计,2021年
高抗辐射性能的优点,可以突破硅作为基片的半导体器全球碳化硅功率半导体市场约为10.9亿美元,较2020年
件性能和能力极限,在新一代移动通信、智能电网、高速提升2个多百分点,中国电子材料行业协会半导体材料
轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用分会综合各机构数据,预计到2026年n型低阻碳化硅衬
前景。本文介绍了碳化硅材料的生产和应用现状,分析了底材料的市场规模将达约25亿美元。从制造成本方面来
碳化硅材料的标准体系,并对后续相关标准化工作的开看,上游的碳化硅材料占到整个产业链总成本的近70%,
展提出意见和建议,以助力行业高质量可持续发展。是相当关键的部分。国外碳化硅材料的生产商主要有美
关键词:碳化硅;标准体系国的Wolfspeed、Dow Corning、日本的住友电气、欧洲的
SiCrystal和意法半导体等企业。
碳化硅产业链主要包括碳化硅衬底 (抛光片)的制备、
1 碳化硅材料生产现状及前景外延、器件制造以及下游应用市场。美国Cree公司分别于
碳化硅由于其优异的性能,在多个领域都有重要用1997年、2000年和2010年实现了50mm(2英寸)、100mm
途,例如,在工业领域,碳化硅因其硬度极高,仅次于金(4英寸)和150mm(6英寸)碳化硅单晶抛光片的商业化
刚石,因此常被用作磨料,用于研磨、切割、抛光等加工生产,并占据市场主要份额。同期,我国碳化硅单晶抛光
过程;此外,碳化硅因具有耐高温、抗氧化、抗热震性好片主要依靠进口,在2013年,我国实现了100mm的制造
等特点,可用于制造高温炉窑的内衬、耐火砖、耐火浇注技术突破,2015年实现商业化生产,打破国外碳化硅单晶
料等。在航空航天领域,碳化硅及其复合材料因具有耐高抛光片产品在我国市场上的垄断。经过多年的发展,我国
温、高强度、低密度等特性,用于制造飞机发动机的叶片、的碳化硅材料被认定是最有可能实现弯道超车、领先国际
涡轮盘等关键部件。在国防军工领域,碳化硅材料可用于同行的先进半导体材料。2022年,国内山西硕科晶体有限
制造高性能的陶瓷装甲、导弹的天线罩、雷达的关键部件公司、北京天科合达半导体股份有限公司和山东天岳先进
等。本文主要介绍碳化硅在半导体领域的相关情况。科技股份有限公司三家企业先后成功研发8英寸碳化硅
当前,半导体材料已成为全球高技术竞争和大国博弈衬底,目前均已实现小批量销售,随后,南砂晶圆、科友
的焦点之一,其中,以碳化硅材料为代表的宽禁带半导体半导体和盛新材料科技等单位都成功研发出8英寸碳化
材料,已在新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、硅衬底。目前,国内可生产8英寸碳化硅衬底的企业超过
新能源汽车、消费类电子等重点领域批量应用。碳化硅具了16家,未来碳化硅衬底将沿着扩大衬底片尺寸、降低缺
有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高陷密度以及低成本化的路线继续发展,8英寸碳化硅衬底
抗辐射性能的优点,可以突破硅作为基片的半导体器件性产品将进一步打开市
 人力资源管理师持证人
专注于各类文档、文案、文稿的写作、修改、润色和各领域PPT文档的制作,收集有海量各类规范类文件。欢迎咨询!
原创力文档
                        

文档评论(0)