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2025年集成电路制造试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种工艺是集成电路制造中实现图形转移的核心步骤？

A.化学机械抛光（CMP）

B.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

C.光刻（Photolithography）

D.离子注入（IonImplantation）

2.EUV（极紫外）光刻的工作波长为？

A.193nm

B.248nm

C.13.5nm

D.365nm

3.干法刻蚀与湿法刻蚀相比，最大的优势是？

A.成本更低

B.各向异性更好

C.对材料选择性更高

D.设备更简单

4.用于形成浅沟槽隔离（STI）的关键材料通常是？

A.多晶硅

B.氮化硅（Si?N?）

C.二氧化硅（SiO?）

D.铜（Cu）

5.以下哪种掺杂工艺可实现超浅结（结深50nm）的精确控制？

A.热扩散（ThermalDiffusion）

B.离子注入（IonImplantation）

C.气相掺杂（VaporDoping）

D.固相掺杂（SolidSourceDoping）

6.化学机械抛光（CMP）的主要作用是？

A.去除晶圆表面氧化层

B.实现全局平面化

C.增强薄膜附着力

D.提高刻蚀速率

7.制备铜互连时，通常需要先沉积一层阻挡层，其主要目的是？

A.提高导电性

B.防止铜扩散到介质层

C.增强铜膜与衬底的结合力

D.降低电阻

8.FinFET（鳍式场效应晶体管）结构中，“鳍”的主要作用是？

A.增加栅极与沟道的接触面积

B.降低漏电流

C.提高载流子迁移率

D.简化工艺步骤

9.以下哪种薄膜沉积技术适合在高深宽比（AR10:1）的沟槽中实现保形沉积？

A.溅射（Sputtering）

B.低压化学气相沉积（LPCVD）

C.原子层沉积（ALD）

D.物理气相沉积（PVD）

10.封装工艺中，用于实现芯片与外部电路电气连接的关键结构是？

A.焊球（SolderBump）

B.塑封材料（MoldingCompound）

C.散热片（HeatSink）

D.衬底（Substrate）

二、填空题（每空1分，共15分）

1.光刻工艺中，分辨率计算公式为R=k?λ/NA，其中NA代表__________。

2.离子注入后通常需要进行退火工艺，主要目的是__________和__________。

3.二氧化硅（SiO?）的常用刻蚀气体为__________（写出一种）。

4.铜互连工艺中，常用的抛光液（Slurry）主要成分包括__________、__________和添加剂。

5.FinFET结构的三栅设计可有效抑制__________效应，提高器件性能。

6.EUV光刻的掩模需要采用__________结构，以反射极紫外光。

7.浅沟槽隔离（STI）的工艺流程通常包括：沟槽刻蚀→__________→填充介质→CMPplanarization。

8.化学气相沉积（CVD）中，当反应由表面反应速率控制时，沉积速率随温度升高而__________（填“增加”或“降低”）。

9.多晶硅栅极（Poly-SiGate）在制备时需进行掺杂，N型MOS通常掺杂__________（填元素符号）。

10.先进封装技术中，2.5D封装通过__________实现芯片间的高速互连。

三、简答题（每题8分，共40分）

1.简述光学邻近校正（OPC,OpticalProximityCorrection）在光刻工艺中的作用及主要实现方法。

2.比较干法刻蚀与湿法刻蚀的优缺点，并说明在集成电路制造中如何选择两种工艺。

3.说明低压化学气相沉积（LPCVD）制备氮化硅（Si?N?）的典型工艺条件（温度、压力、前驱体）及选择该条件的原因。

4.分析浅沟槽隔离（STI）工艺中“沟槽填充”步骤的关键挑战及解决方案。

5.解释为什么铜互连工艺逐渐替代铝互连工艺，并说明铜互连面临的主要技术问题。

四、计算题（每题10分，共30分）

1.某193nm浸没式光刻系统的数值孔径（NA）为1.35，k?因子取0.28，计算该系统理论上可实现的最小分辨率（线宽）。若采用EUV光刻（波长13.5nm，NA=0.33，k?=0.25），最小分辨率可提升至多少？（结果保留两位小数）

2.采用离子注入工艺向硅衬底中注入硼（B），注入能