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((完完整整版版))模模拟拟电电⼦⼦技技术术((模模电电))部部分分概概念念和和公公式式总总结结
1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体间的物质。特性:热敏性、光敏性、掺杂性。
2、本征半导体:完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。
3、在纯净半导体中掺⼊三价杂质元素,形成P型半导体,空⽳为多⼦,电⼦为少⼦。
4、在纯净半导体中掺⼊五价杂质元素,形成N型半导体,电⼦为多⼦、空⽳为少⼦。
5、⼆极管的正向电流是由多数载流⼦的扩散运动形成的,⽽反向电流则是由少⼦的漂移运动形成的。
6、硅管Uon和Ube:0.5V和0.7V;锗管约为0.1V和0.3V。
7、稳压管是⼯作在反向击穿状态的:①加正向电压时,相当正向导通的⼆极管。(压降为0.7V,)
②加反向电压时截⽌,相当断开。③加反向电压并击穿(即满⾜U﹥UZ)时便稳压为UZ。
8、⼆极管主要⽤途:开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离(门电路)等。
9、三极管的三个区:放⼤区、截⽌区、饱和区。三种状态:⼯作状态、截⽌状态、饱和状态,放⼤时在放⼤状态,开
关时在截⽌、饱和状态。三个极:基极B、发射极E和集电极C。⼆个结:即发射结和集电结。饱和时:两个结都正偏;截⽌
时:两个结都反偏;放⼤时:发射结正偏,集电结反偏。三极管具有电流电压放⼤作⽤.其电流放⼤倍数β=IC/IB(或IC=βI
B)和开关作⽤.
10、当输⼊信号Ii很微弱时,三极管可⽤参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。
11、失真有三种情况:
⑴截⽌失真原因IB、IC太⼩,Q点过低,使输出波形正半周失真。调⼩RB,以增⼤IB、IC,使Q点上移。
⑵饱和失真原因IB、IC太⼤,Q点过⾼,使输出波形负半周失真。调⼤RB,以减⼩IB、IC,使Q点下移。
⑶信号源US过⼤⽽引起输出的正负波形都失真,消除办法是调⼩信号源。
1、放⼤电路有共射、共集、共基三种基本组态。(固定偏置电路、分压式偏置电路的输⼊输出公共端是发射极,故称共发射
极电路)。
共射电路的输出电压U0与输⼊电压UI反相,所以⼜称反相器。
共集电路的输出电压U0与输⼊电压UI同相,所以⼜称同相器。
2、差模输⼊电压Uid=Ui1-Ui2指两个⼤⼩相等,相位相反的输⼊电压。(是待放⼤的信号)
共模输⼊电压UiC=Ui1=Ui2指两个⼤⼩相等,相位相同的输⼊电压。(是⼲扰信号)
差模输出电压U0d是指在Uid作⽤下的输出电压。
共模输出电压U0C是指在UiC作⽤下的输出电压。
差模电压放⼤倍数Aud=U0d//Uid是指差模输出与输⼊电压的⽐值。
共模放⼤倍数Auc=U0C/UiC是指共模输出与输⼊电压的⽐值。(电路完全对称时Auc=0)
共模抑制⽐KCRM=Aud/Auc是指差模共模放⼤倍数的⽐,电路越对称KCRM越⼤,电路的抑制能⼒越强。
3、差分电路对差模输⼊信号有放⼤作⽤,对共模输⼊信号有抑制作⽤,即差分电路的⽤途:⽤于直接耦合放⼤器中抑
制零点漂移。(即以达到UI=0,U0=0的⽬的)
4、电压放⼤器的主要指标是电压放⼤倍数AU和输⼊输出电阻Ri,R0。
功率放⼤器的主要指标要求是(1)输出功率⼤,且不失真;(2)效率要⾼,管耗要⼩,所以功率放⼤电路通常⼯作在甲⼄
类(或⼄类)⼯作状态,同时为减⼩失真,采⽤⼄类互补对称电路。为减⼩交越失真采⽤甲⼄类互补对称电路。
5、多级放⼤电路的耦合⽅式有:
直接耦合:既可以放⼤交流信号,也可以放⼤直流信号或缓慢变化的交流信号;
耦合过程⽆损耗。常⽤于集成电路。但各级⼯作点互相牵连,会产⽣零点漂移。
阻容耦合:最⼤的优点是各级⼯作点互相独⽴,但只能放⼤交流信号。耦合过程有损耗,不利于集成。
变压器耦合:与阻容耦合优缺点同,已少⽤。
1、射极输出器特点:如图F-a(为共集电路,⼜称同相器、跟随器)
①电压放⼤倍数⼩于近似于1,UO与Ui同相。
②输⼊电阻很⼤。③输出电阻很⼩,所以带负载能⼒强。
反馈是指将输出信号的⼀部分或全部通过⼀定的⽅式回送到输⼊端。
1、反馈有正反馈(应⽤于振荡电路)和负反馈(应⽤于放⼤电路)分。
2、反馈有直流反馈,其作⽤:稳定静态⼯作点。
有交流反馈,其作⽤:改善放⼤器性能。包括:①提⾼电压放⼤倍数的稳定度;②扩展通频带;
③减⼩⾮线性失真;④改善输⼊输出电路。
3、反馈放⼤电路的基本关系式:Af=A/(1+AF),其(1+AF)称反馈深度,当(1+AF)远远⼤于是1时为深度负反
馈,其Af=1/F
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