机械工程测试技术第三章.pptVIP

半导体材料重要特性是对光、热、力、磁、气体、温度等理化量的敏感性。近代半导体技术利用这些特性，作为非电量电测的转换元件。特点：（1）是一些物性型传感器；（2）结构简单，体积小，重量轻；（3）功耗低，安全可靠，寿命长；（4）对被测量敏感，响应快；（5）易于实现集成化；（6）输出一般为非线性，常采用线性化电路；（7）温度影响大，需要温度补偿措施；（8）性能参数分散性较大。一．磁敏传感器分类：（1）霍尔元件（2）磁阻元件（3）磁敏管（一）霍尔元件霍尔元件——种半导体磁电转换元件。一般由锗（Ge）、锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）等半导体材料制成。它利用霍尔效应进行工作。如图3-38所示，将霍尔元件置于磁场B中，如果在a,b端通以电流i在c,d两端就会出现电位差，称为霍尔电势VH，此现象叫霍尔效应。第八节半导体传感器*第62页，共108页，星期日，2025年，2月5日BiiadcbiVHa)BdbcaiN型vFEFL电子受力方向b)图3-38霍尔元件及霍尔效应原理a)霍尔元件b)霍尔效应原理假定把N型半导体薄片放在磁场中，通固定电流i，半导体中载流子（电子）将沿着与电流方向相反方向运动。从物理学知，任何带电质点在磁场中沿着和磁力线垂直的方向运动时，要受到洛伦兹力FL作用，向一边偏移，并形成电子积累，而另一边积累正电荷，于是形成电场。该电场将阻止运动电子继续偏移，当电场力FE与FL相等时，电子积累达到动态平衡，这时元件c,d两端之间建立的电场叫霍尔电场，相应电势叫霍尔电势VH。*第63页，共108页，星期日，2025年，2月5日（3-39）式中kH—霍尔常数，取决于材质、温度、元件尺寸i—电流B—磁感应强度α—电流与磁场方向的夹角根据此式，如果改变B或i，或者两者同时改变，就可改变VH，值，运用此特性，把被测参量转化为电压值的变化。霍尔电势VH，其大小为图3-39表示用霍尔元件测量位移的实例。将霍尔元件置于两个方向相反的磁场中，由于每点磁感应强度不同，当元件沿x方向移动时，由霍尔电势的变化反映出位移量。将微小位移测量为基础，霍尔元件还可应用于微压、压差、高度、加速度和振动的测量。图3-40表示一种利用霍尔元件探测钢丝绳断丝的工作原理。*第64页，共108页，星期日，2025年，2月5日*第65页，共108页，星期日，2025年，2月5日二．光敏传感器（一）光敏电阻光电效应：光敏电阻是一种光电导元件。其工作原理是基于半导体材料的内光电效应。当半导体受到光照射时，其内阻值减小的现象。阻性偏压：光敏电阻是一种电阻器件，使用时对它加一定偏压，无光照射时，其阻值很大，电路中电流很小。当受到光照时，其阻值急剧下降，电路电流迅速增加。材料光谱：光敏电阻阻值的变化与光的波长有关，不同材料的光谱特性不同，见图3-41，应根据入射光波波长选择材料。温度影响：光敏电阻受温度的影响甚大，温度升高时，它的暗电阻值、灵敏度下降，使用时注意。ZnSCdSSiGePbSPbTePbSe相对灵敏度%00.30.51.02.05.010.010080604020入射波长（μm）图3-41光敏电阻材料的光谱特性*第66页，共108页，星期日，2025年，2月5日（二）光电池光生电能：半导体光电池直接将光能转换成电能。受光照射时，可直接将光能转换成电源。工作原理：图3-42表示具有PN结的光电池工作原理。当用光照射时，在PN结附近，由于吸收了光子能量而产生电子和空穴，称之为光生载流子。它们在PN结电场作用下，产生漂移运动，电子被推向N区，而空穴被推进P区，使P型区带正电，而N型区带负电，二者之间产生了电位差，用导线联接电路中就有电流通过。材料特性：一般常用光电池有硒、硅、锑化镉、硫化镉等光电池，其中使用最广泛的是硅电池，其光谱范围为0.4~1.1μm，灵敏度为6~8nAmm-2lx-1；响应时间为数微秒至数十微秒。PN图3-42光电池工作原理*第67页，共108页，星期日，2025年，2月5日（三）光敏二极管和光敏三极管光敏二极管：光敏二极管是一种既有一个PN结又有光电转换功能的晶体二极管。PN结位于管的顶部，以使接受光照。光敏二极管在