第1章半导体器件.pptVIP

由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。第74页，共135页，星期日，2025年，2月5日问题1：除了从三极管的电流分配关系可以证明IE=IC+IB。还可以通过什么方法加以说明？返回第75页，共135页，星期日，2025年，2月5日1.3.3晶体管的共射特性曲线iB是输入电流，uBE是输入电压。iC是输出电流，uCE是输出电压。输入特性曲线——iB=f(uBE)?uCE=const输出特性曲线——iC=f(uCE)?iB=const本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线，即*第76页，共135页，星期日，2025年，2月5日简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和uBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。为了排除uCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使uCE=const(常数)。(1)输入特性曲线UBE/VUCE=0第77页，共135页，星期日，2025年，2月5日共发射极接法的输入特性曲线见下图。其中uCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当uCE≥1V时，uCB=uCE-uBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少，IC/IB增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但uCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。输入特性曲线的分区： ①死区②非线性区③线性区UCE=0第78页，共135页，星期日，2025年，2月5日(2)输出特性曲线共发射极接法的输出特性曲线如图所示，它是以iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明，当uCE=0V时，因集电极无收集作用，iC=0。当uCE稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如uCE1VuBE=0.7VuCB=uCE-uBE=0.7V集电区收集电子的能力很弱，iC主要由uCE决定。动画1-7三极管输出特性UCE/V第79页，共135页，星期日，2025年，2月5日当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如uCE≥1VuBE≥0.7V运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后uCE再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进入与uCE轴基本平行的区域(这与输入特性曲线随uCE增大而右移的图02.06共发射极接法输出特性曲线原因是一致的)。UCE/V第80页，共135页，星期日，2025年，2月5日UCE/V输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE的数值较小，一般uCE＜0.7V(硅管)。又叫饱和导通，即发射极和极电集近似开关闭合，此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。发射极和极电集近似开关断开。放大区——iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，电压大于0.7V左右(硅管)。第81页，共135页，星期日，2025年，2月5日例1：测量三极管三个电极对地电位如图03.09所示，试判断三极管的工作状。图03.09三极管工作状态判断放大截止饱和第82页，共135页，星期日，2025年，2月5日例2：用数字电压表测得VB=4.5V、VE=3.8V、VC=8V，试判断三极管的工作状态。图03.10例3.2电路图返回第83页，共135页，星期日，2025年，2月5日1.3.4晶体管的主要参数一、直流参数1共发射极直流电流放大系数第84页，共135页，星期日，2025年，2月5日在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(UC