2024-2025学年上海市曹杨第二中学高三上学期10月月考化学试卷含详解.docxVIP

2025届高三化学十月练习

相对原子质量：N-14??S-32??Ga-70??As-75

一,镓与砷

镓广泛应用于光电及微电子领域,目前80%的镓被用于生产砷化镓(GaAs)。已知镓与砷在元素周期表中位置如图所示。

Al

Si

P

Ga

Ge

As

1．请写出镓的基态原子核外电子排布式(简化)。

2．镓的基态原子核外有种能量不同的电子,位于元素周期表的区。用原子光谱分析法测定镓元素,不可能得到。

A．吸收光谱????????B．线光谱????????C．发射光谱????????D．连续光谱

3．与镓同周期所有元素中,基态原子核外未成对电子数与镓原子相同的元素有种。

4．关于表中元素及其化合物相关比较正确的是___________。

A．金属性：AlGa B．热稳定性：PH3AsH3

C．原子半径：GeAs D．酸性：Ga(OH)3Ge(OH)4

5．B与Ga是同主族元素,下列说法不正确的是___________。

A．H3BO3,[B(OH)4]-中硼原子的杂化方式均为sp2

B．电负性：BGa

C．与Ga同周期的主族元素中,第一电离能比Ga大的有5种

D．相同条件下在水中溶解度：氨硼烷(BH3NH3)乙烷

6．已知：GaCl3·xNH3(x=3,4,5,6)是一系列化合物。可推测Ga3+的配位数为。向含1molGaCl3·xNH3溶液中加入足量AgNO3溶液,有难溶于硝酸的白色沉淀生成,过滤后,充分加热滤液,有氨气逸出,且又有上述沉淀生成,两次沉淀的物质的量之比为1：2,能准确表示GaCl3·xNH3结构的化学式为。

7．氮化镓是第三代半导体材料。传统制备GaN是采用GaCl3与NH3在一定条件下反应制备,不采用金属Ga与N2制备的原因是。

8．GaN的一种晶胞结构如图所示,若阿伏加德罗常数的值为NA,则该GaN晶体的密度为g·cm-3。

回答下列问题。

9．AlBr3常以二聚体形式存在,且各原子均满足8e-结构,该二聚体中存在的化学键有___________。

A．极性键 B．氢键 C．配位键 D．离子键

10．将该二聚体溶于CH3CN生成[Al(CH3CN)2Br2]Br。其中心原子(或离子)为,配体为(填化学式),该配离子的结构为形。

A．平面四边????????B．正方????????C．四面体????????D．正四面体

对砷化镓废料中镓与砷的清洁高效提取成为研究热点。

11．完成并配平“氧化碱浸”发生反应的化学方程式：。

___________GaAs+___________NaOH+___________H2O2=___________Na[Ga(OH)4]+___________Na3AsO4+______________________

12．若用240g含7.25%砷化镓的废料回收镓,得到纯度99%的镓7.0kg,列式计算镓的回收率。

二,硫化氢的脱除

硫化氢广泛存在于天然气中的有毒气体,目前有多种硫化氢脱除工艺。

I．Claus法脱硫。第一阶段中部分硫化氢被空气完全氧化为SO2,第二阶段在400℃左右进行,上一阶段氧化产物与剩余硫化氢继续反应,生成硫单质(化学式为S2)。

13．关于SO2分子说法正确的是___________。

A．既含有键,又含有键

B．含有极性键的极性分子,与O3是等电子体

C．分子构型为角形,键角为120°

D．属于非极性分子,S原子采用sp杂化

14．已知第二阶段每生成32gS2,反应体系会吸收15.75kJ的热量,且?S＞0,写出该过程的热化学方程式：。

15．为使硫单质回收率最大,第一阶段硫化氢的氧化率应控制在___________。(已知：氧化率=×100%)

A．25.0% B．33.3% C．50% D．66.7%

Ⅱ．直接氧化法脱硫。反应历程与体系能量变化如下图所示(TS表示过渡态)。

16．上述反应历程共涉及个基元反应。

17．其中化学反应速率最慢的步骤的活化能为___________kJ·mol-1。

A．140.6 B．182.1 C．239.6 D．246.0

18．状态③包括a,b两种物质,比较两者沸点相对大小并说明理由。

化学循环脱硫。过程如下图所示。

已知：①造气反应：

②Bunsen反应：

19．造气反应中,1.2molO2能氧化H2S的体积为