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2025年纳米材料在纳米电磁场应用技术培训中的应用试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种纳米材料的表面等离子体共振（SPR）特性对周围介质折射率变化最敏感？

A.金纳米球（直径50nm）

B.银纳米棒（长径比5:1）

C.二氧化硅纳米颗粒（表面包覆5nm金层）

D.石墨烯纳米片（层数3层）

答案：B

解析：银纳米棒的各向异性结构使其SPR峰对长轴方向的介质折射率变化更敏感，长径比越大，灵敏度越高；金纳米球的SPR峰较宽，灵敏度低于银纳米棒；二氧化硅包覆金层的结构因介电隔离层存在，灵敏度降低；石墨烯的SPR特性主要依赖载流子浓度，对介质折射率变化不敏感。

2.在纳米电磁场调控中，采用核壳结构纳米颗粒（如Fe3O4@SiO2@Au）的主要目的是？

A.增强光热转换效率

B.实现磁-电双场响应

C.提高机械稳定性

D.降低材料成本

答案：B

解析：Fe3O4提供磁响应（磁场调控），Au壳层提供表面等离子体效应（电场调控），SiO2隔离层避免磁核与金壳的电磁耦合干扰，因此核壳结构的核心是实现磁-电双场协同调控。

3.纳米线阵列的等效介电常数εeff与单根纳米线的介电常数εw、填充率f（纳米线体积占比）的关系符合以下哪个公式？

A.εeff=εw·f+ε0·(1-f)（ε0为背景介质介电常数）

B.εeff=ε0·[1+3f(εw-ε0)/(εw+2ε0)]

C.εeff=εw^(1-f)·ε0^f

D.εeff=(εw·f+ε0·(1-f))^(-1)

答案：B

解析：纳米线阵列属于稀疏分布的各向同性介质，其等效介电常数适用Maxwell-Garnett有效介质理论，公式为εeff=ε0·[1+3f(εw-ε0)/(εw+2ε0)]。选项A为线性混合近似，仅适用于f极低且颗粒无相互作用的情况；C为对数混合法则，适用于两相连通结构；D无物理意义。

4.太赫兹频段纳米超表面的单元结构设计中，优先选择以下哪种材料？

A.铜（电导率5.96×10^7S/m）

B.氧化铟锡（ITO，电导率1×10^4S/m）

C.石墨烯（载流子迁移率1×10^4cm2/V·s）

D.银（电导率6.3×10^7S/m）

答案：C

解析：太赫兹频段（0.1-10THz）金属的趋肤深度极浅（如铜在1THz时趋肤深度约1.6μm），纳米级金属结构（厚度100nm）会因趋肤效应导致欧姆损耗显著；石墨烯的载流子浓度可通过门电压调控，其表面电导率在太赫兹频段呈现动态可调性（σ=ie2μEF/(π?2(ω+iτ?1))），更适合设计动态超表面。

5.纳米铁氧体（如NiZn铁氧体）在高频电磁场中的主要损耗机制是？

A.磁滞损耗

B.涡流损耗

C.自然共振损耗

D.介电损耗

答案：C

解析：纳米铁氧体的晶粒尺寸通常小于单畴临界尺寸（约100nm），磁滞损耗（与畴壁运动相关）显著降低；涡流损耗与电导率和频率平方成正比，铁氧体电导率低（10??-10?2S/m），涡流损耗可忽略；自然共振损耗（由自旋进动与电磁场耦合引起）是高频（GHz以上）下的主要损耗机制。

6.制备具有各向异性电磁响应的纳米复合材料时，最有效的工艺是？

A.溶液共混后机械搅拌

B.磁场/电场诱导取向+固化

C.球磨法制备复合粉末

D.化学气相沉积（CVD）原位生长

答案：B

解析：磁场/电场可诱导磁性或极性纳米颗粒沿场方向取向，固化后形成各向异性结构（如纳米线沿电场方向排列），从而实现介电常数或磁导率的各向异性；机械搅拌和球磨法难以实现定向排列；CVD原位生长虽可控制结构，但成本高且难以大规模制备各向异性复合材料。

7.纳米天线（Nanoantenna）的“阻抗匹配”主要是指？

A.纳米天线与自由空间的阻抗匹配（约377Ω）

B.纳米天线与基底材料的介电常数匹配

C.纳米天线的等效电抗与电阻相等（X=R）

D.纳米天线的谐振频率与入射电磁波频率匹配

答案：A

解析：纳米天线的阻抗匹配目标是将其输入阻抗（通常为复数）调整为与自由空间波阻抗（377Ω）一致，以最小化反射，最大化能量耦合效率；谐振频率匹配是实现高效耦合的前提，但非“阻抗匹配”的定义。

8.以下哪种纳米材料的介电温漂系数（温度每变化1K，介电常数的相对变化率）最小？

A.BaTiO3纳米颗粒（居里温度120℃）

B.聚偏氟乙烯（PVDF）/碳纳米管（CNT）复合材料（CNT质量分数5%）