2025年大学《数理基础科学》专业题库—— 半导体化学与生物物理.docxVIP

2025年大学《数理基础科学》专业题库——半导体化学与生物物理

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内）

1.下列哪种材料通常被认为是一种直接带隙半导体？（）

A.GaAs

B.Si

C.Ge

D.diamond

2.在N型半导体中，主要贡献于导电过程的载流子是？（）

A.电子和空穴

B.只有电子

C.只有空穴

D.自由原子

3.P-N结在零偏压下的主要特征是？（）

A.结处有较大的电流

B.结处有较大的电压降

C.结处电流为零

D.结处电场消失

4.外延生长技术的主要目的是？（）

A.制备块状单晶

B.在已有基底上生长一层具有特定晶格取向和性质的薄层

C.制备多晶材料

D.研究材料的力学性能

5.下列哪种光谱学方法常用于分析半导体的能带结构和缺陷态？（）

A.光学显微镜（OM）

B.X射线衍射（XRD）

C.紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）

D.傅里叶变换红外光谱（FTIR）

6.量子尺寸效应主要发生在哪种类型的半导体材料中？（）

A.块状宏观晶体

B.薄膜

C.纳米颗粒或量子线/点

D.多晶材料

7.在生物传感器中，利用半导体纳米材料作为敏感元件的主要优势之一是？（）

A.成本低廉

B.易于功能化

C.物理化学性质稳定

D.以上都是

8.光遗传学技术中，通常使用哪种半导体材料产生的光来激活或抑制神经元？（）

A.发光二极管（LED）

B.半导体激光器

C.红外发光二极管（IRED）

D.量子点

9.半导体探测器在医学成像中（如CT）的主要工作原理是？（）

A.光电效应

B.原子核衰变

C.康普顿散射

D.正电子湮灭

10.下列哪项不是半导体在细胞工程或组织工程中应用的一个方面？（）

A.提供细胞附着和生长的基底

B.释放生物活性因子

C.作为导电材料构建电子接口

D.直接替代受损的生理组织

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填在题中的横线上）

1.半导体材料的能带结构主要由其________和________决定。

2.在半导体中，载流子的产生和复合过程遵循________定律。

3.P型半导体的多数载流子是________，少数载流子是________。

4.薄膜沉积技术如化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）在半导体工业中扮演着重要角色，它们主要用于制备________和________。

5.X射线衍射（XRD）技术主要用于测定材料的________和________。

6.半导体光电转换的基本物理过程包括________和________。

7.在生物医学领域，基于半导体材料的________探测器是正电子发射断层扫描（PET）的关键部件。

8.量子点由于尺寸的减小，其光学性质（如吸收光谱和发射光谱）表现出________效应。

9.仿生半导体器件旨在模拟生物系统的某些功能，例如模仿视网膜的光电转换功能的________器件。

10.半导体材料掺杂的主要目的是改变其________和________。

三、简答题（每小题5分，共15分）

1.简述掺杂对半导体材料能带结构和导电性能的影响。

2.简述外延生长技术相比于体材料生长的主要优势。

3.简述光电效应的基本原理及其在半导体器件中的应用。

四、计算题（每小题10分，共20分）

1.已知某本征硅半导体在300K时的本征载流子浓度n_i=1.04x10^10cm^-3。如果向其中掺入磷（P）原子，使其成为N型半导体，且施主浓度N_D=1x10^21cm^-3。假设掺杂完全，且温度为300K。请计算：（1）该N型硅半导体的电子浓度n和空穴浓度p；（2）该半导体的准费米能级E_F与本征费米能级E_i的近似差值（假设E_F远高于E_i）。

2.一块直接带隙半导体GaAs，其禁带宽度E_g=1.42eV。假设光子能量为1.8eV的光照射到该半导体上。请从能带理论角度定性分析光子被吸收后可能发生的过程，并简要