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垂直腔面发射激光器VCSEL的基本特征和性能指标分析概述

目录

垂直腔面发射激光器VCSEL的基本特征和性能指标分析概述 1

1.1垂直腔面发射激光器VCSEL的基本特征 1

1.1.1VCSEL的结构 1

1.1.3自发辐射与受激辐射 2

1.1.4VCSEL的工作原理 2

1.1.5驰豫振荡 2

1.2VCSEL的性能指标 3

1.1.1电光延迟时间 3

1.1.2上升时间 3

1.1.2布拉格反射镜 3

1.1.3受激辐射速率 4

1.3VCSEL单模速率方程 4

1.3.1氧化孔径特性 5

1.3.2温度特性 5

1.3.3电流阈值 6

1.1垂直腔面发射激光器VCSEL的基本特征

1.1.1VCSEL的结构

一般VCSEL的结构如图2所示，它由三个部分组成，分别为：有源区、布拉格反射镜、金属电极。其中，有源区位于N型掺杂和P型掺杂的两个布拉格反射镜之间。为了减小阈值电流并提高峰值功率，一般会在有源区中加入2~4个量子阱26]

Circular

CircularBeam

OxideAperture

Substrate

图2VCSEEL基本结构

2

1.1.3自发辐射与受激辐射

导带中的电子和价带中的空穴复合，并辐射出一个能量接近带隙能量的光子，这一过程称为自发辐射(见图4(a))。当光子在导带中有电子和价带中有空穴的半导体中传输时，受激辐射过程将使光子数增加。图4(b)给出了受激辐射过程前后电子的占据情况。光子在将电子从价带激发到导带的过程中会被吸收，这一过程称为受激吸收[28]。

导带

导带(a)

V光子辐射价带

V

光子辐射

价带

前后

导带(b)

V→

入射和辐射光子

价带

前后

V→

入射光子

图4(a)自发辐射过程示意图；(b)受激辐射过程示意图

1.1.4VCSEL的工作原理

VCSEL是以直接带隙半导体为光增益介质的激光器，其核心是一个具有光反馈结构的p-n结二极管，通常被称为激光二极管(如图5)。为二极管加上正电压后，电子从n区移动到p区。在p-n结附近，电子和空穴复合而产生受激辐射，在谐振腔内产生稳定的光振荡，端面发出激光23。

L

L

W

金属电极

理解面

激光n型半导体

P型半导体金属电极

理解面

激光

图5激示意图

1.1.5驰豫振荡

在注入电流后，载流子浓度和光子浓度均有一个弛豫过程。如图6所示，当VCSEL的注入电流大于阈值电流时，有源区的载流子浓度逐渐上升，但光子浓度几乎不变。在有源区的载流子浓度达到该激光器的阈值载流子浓度之后，载流

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子发生受激辐射，产生光子。此时，有源区光子浓度上升，载流子浓度净增长速度减低。经过一段时间后，载流子浓度和光子浓度达到动态平衡21。

SIS1.0

SIS

1.0

0.991

10

lI?l7

图6载流子浓度、光子浓度随时间变化

1.2VCSEL的性能指标

1.1.1电光延迟时间

当VCSEL进行脉冲调整时，需要解决电光延迟时间的问题，才能提高脉冲调制速率。从注入电流，到光脉冲达到最大光子数密度的10%所经历的时间，即为电光延迟时间td。图5中t?之前的时间即为电光延迟时间。

电光延迟效应不仅会影响光脉冲的峰值，而且当电光延迟时间大于脉冲电流宽度时，调制会完全失效。因此，对电光延迟时间的研究有助于让我们更加深入地了解器件内部的载流子输运过程[191。

1.1.2上升时间

上升时间tr,即光脉冲从最大光子数密度的10%,增加到最大光子数密度的90%所用的时间。图5中t?到t2的时间，即为上升时间。

VCSEL在激光雷达测距的应用中，当光脉冲宽度相同时，脉冲的上升沿越短，有效脉冲所占的比例就越大，相应的测距结果也就越精确。因此，为了保证VCSEL输出数据的稳定性及可靠性，我们需要拥有尽可能小的上升时间的激光信号211。

1.1.2布拉格反射镜

布拉格反射镜(DBR)的基本结构如图3所示，它由多层介质组成，折射率

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呈周期性变化。制作DBR时，需要折射率大和折射率小的两种材料，在村底上交替生长。最常用的DBR有以下要求[27]:

1)是1/4反射镜，即各层的厚度均为1/4波长。这样的结构可以使入射光线及各层反射光线形成驻波，以输出相对稳定的激光。

2)两种介质均为对入射光透明的材料，以消除其光损耗。

3)尽量增大两种材料的