第四章场效应管及其放大电路 (2).pptVIP

4.4场效应管放大电路第29页，共45页，星期日，2025年，2月5日共源组态基本放大电路对于采用场效应三极管的共源基本放大电路，可以与共射组态接法的基本放大电路相对应，只不过场效应三极管是电压控制电流源，即VCCS。共源组态的基本放大电路如图所示。(a)采用结型场效应管(b)采用绝缘栅场效应管共源组态接法基本放大电路比较共源和共射放大电路，它们只是在偏置电路和受控源的类型上有所不同。只要将微变等效电路画出，就是一个解电路的问题了。第30页，共45页，星期日，2025年，2月5日(1)直流分析将共源基本放大电路的直流通道画出,如图所示。共源基本放大电路的直流通道图中Rg1、Rg2是栅极偏置电阻，Rs是源极电阻，Rd是漏极负载电阻。与共射基本放大电路的Rb1、Rb2，Re和Rc分别一一对应。而且只要结型场效应管栅源间PN结是反偏工作，无栅流，那么JFET和MOSFET的直流通道和交流通道是一样的。可写出下列方程VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2)VGSQ=VG－VS=VG－IDQRIDQ=IDSS[1－(VGSQ/VP)]2VDSQ=VDD－IDQ(Rd+R)于是可以解出VGSQ、IDQ和VDSQ。第31页，共45页，星期日，2025年，2月5日微变等效电路(2)交流分析画出微变等效电路，如图所示。与双极型三极管相比，输入电阻无穷大，相当开路。VCCS的电流源还并联了一个输出电阻rds，在双极型三极管的简化模型中，因输出电阻很大视为开路，在此可暂时保留。其它部分与双极型三极管放大电路情况一样。第32页，共45页，星期日，2025年，2月5日跳转到第一页第1页，共45页，星期日，2025年，2月5日4.1结型场效应三极管(JFET)(1)结型场效应三极管的结构JFET的结构如图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。一个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 (动画2-8）第2页，共45页，星期日，2025年，2月5日(2)结型场效应三极管的工作原理第3页，共45页，星期日，2025年，2月5日①栅源电压对沟道的控制作用当VGS=0时，若漏、源之间加有一定电压，在漏、源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。当VGS＜0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏、源间的沟道将变窄，ID将减小，VGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP。这一过程动画所示。（动画2-9）第4页，共45页，星期日，2025年，2月5日②漏源电压对沟道的控制作用当VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断。当VDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向延长。在栅极加上电压，且VGS＞VP，若漏源电压VDS从零开始增加，则VGD=VGS-VDS将随之减小。使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从左至右呈楔形分布。第5页，共45页，星期日，2025年，2月5日(3)结型场效应三极管的特性曲线JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线，二是输出特性曲线。第6页，共45页，星期日，2025年，2月5日(a)漏极输出特性曲线(b)转移特性曲线N沟道结型场效应三极管的特性曲线动画（2-6）动画（2-7）第7页，共45页，星期日，2025年，2月5日N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号如图。其中：D(Drain)为漏极,相当于c；G(G