考研电子科学与技术2025年固体物理试卷（含答案）.docx

考研电子科学与技术2025年固体物理试卷（含答案）

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内）

1.晶体与非晶体的根本区别在于（）。

A.分子排列是否规则B.物理性质是否各向异性

C.是否具有长程有序结构D.热膨胀系数大小

2.晶体密堆积中最密堆积的方式是（）。

A.体心立方B.面心立方C.密排六方D.简单立方

3.在金属键理论中，描述金属离子实和“电子海”模型的是（）。

A.离子键理论B.共价键理论C.金属键理论D.范德华力理论

4.根据能带理论，下列说法正确的是（）。

A.导体、半导体和绝缘体的能带结构均有重叠

B.半导体的禁带宽度较绝缘体宽

C.绝缘体不存在能带结构

D.材料的导电性主要取决于其价带和导带的结构

5.能带结构中，能谷是指（）。

A.能带中能量最低的点B.能带中能量最高的点

C.导带底和价带顶D.态密度最大的位置

6.有效质量的概念主要用于描述（）。

A.晶格振动B.电子在晶体周期场中的运动C.核外电子轨道运动D.分子内原子间振动

7.在N型半导体中，主要载流子是（）。

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.自由电子和束缚电子

8.P-N结形成的主要原因是（）。

A.热激发B.光照C.掺杂D.内部电场建立

9.晶体缺陷中，会引起材料电阻率升高的是（）。

A.点缺陷（空位）B.线缺陷（位错）C.面缺陷（晶界）D.体缺陷（夹杂物）

10.晶格振动的主要模式是（）。

A.弛豫振荡B.固有振动C.谐振D.介电振荡

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填在题中的横线上）

1.晶体的三维周期性结构可以用_________和_________两个基矢来描述。

2.晶体的七大晶系分别是_________、_________、_________、_________、_________、_________和_________。

3.金属键的本质是金属原子外层电子在所有原子之间共有形成的_________，电子被原子核所共同束缚。

4.当电子从价带顶跃迁到导带底时，材料的电导率将_________（填增大、减小或不变）。

5.导体的费米能级位于_________（填价带、导带或禁带）之中。

6.半导体的禁带宽度通常在_________eV的数量级。

7.P-N结在无外加电压时，结区两侧形成_________，其方向由高浓度区指向低浓度区。

8.位错是晶体中原子排列发生_________的线状缺陷。

9.晶格振动的能量是频率的_________函数，遵守玻色-爱因斯坦统计。

10.固体中载流子的输运现象主要有_________和_________。

三、简答题（每小题5分，共15分）

1.简述能带形成的物理过程。

2.简述费米能级的物理意义。

3.简述影响半导体禁带宽度的因素。

四、计算题（每小题10分，共30分）

1.已知某晶体为面心立方结构，晶格常数a=0.36纳米。设电子在该晶体中的有效质量为m*=0.1me（me为电子静止质量），普朗克常量h=6.63×10^-34J·s，电子电荷e=1.6×10^-19C。试求该晶体中电子的能谷速度。

2.一个N型半导体，其电子浓度n=10^21m^-3，空穴浓度p=10^14m^-3。已知电子的迁移率μn=0.14m^2/V·s，空穴的迁移率μp=0.05m^2/V·s。试计算该半导体的电导率。

3.一个P-N结，P区掺杂浓度N_A=10^24m^-3，N区掺杂浓度N_D=10^23m^-3。设本征载流子浓度n_i=1.5×10^10m^-3，电子和空穴的迁移率相同，均为μ=0.1m^2/V·s，电子电荷e=1.6×10^-19C。试估算该P-N结的平衡势垒高度V_bi。

---

试卷答案

一、选择题

1.C

2.B

3.C

4.D

5.A

6.B

7.A

8.D

9.B

10.B

二、填空题

1.晶格矢量，倒易晶格矢量

2.立方，四方，六方，三方，正交，单斜，三斜

3.电子气

4.增大

5.导带

6.1-3

7.内建电场

8.错位

9.二次

10.电导，热导

三、简答题

1.解析思路：考虑原子核间的距离，当原子间距较大时，原子独立，电子