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2025秋招：工艺整合题目及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种工艺常用于半导体表面平坦化？

A.光刻

B.化学机械抛光

C.刻蚀

D.离子注入

2.氧化工艺中，干氧氧化的特点是？

A.生长速度快

B.氧化层质量高

C.含水量高

D.温度低

3.光刻工艺的关键步骤不包括？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.退火

4.离子注入后通常需要进行？

A.清洗

B.退火

C.刻蚀

D.沉积

5.以下哪种气体常用于化学气相沉积？

A.氧气

B.氮气

C.硅烷

D.氢气

6.刻蚀工艺分为干法刻蚀和？

A.湿法刻蚀

B.等离子刻蚀

C.反应离子刻蚀

D.溅射刻蚀

7.金属化工艺中，常用的金属是？

A.铜

B.铝

C.铁

D.银

8.扩散工艺的驱动力是？

A.温度差

B.浓度差

C.压力差

D.电场差

9.光刻胶的主要作用是？

A.保护硅片

B.形成图形

C.提高导电性

D.降低表面张力

10.以下哪种工艺可用于制造多层布线？

A.光刻

B.化学机械抛光

C.电镀

D.以上都是

多项选择题（每题2分，共10题）

1.工艺整合中涉及的主要工艺有？

A.光刻

B.刻蚀

C.沉积

D.掺杂

2.氧化工艺的目的包括？

A.形成绝缘层

B.保护硅片表面

C.作为光刻掩膜

D.提高导电性

3.光刻工艺的影响因素有？

A.光刻胶性能

B.曝光光源

C.掩膜版质量

D.显影液浓度

4.离子注入的优点有？

A.精确控制杂质浓度

B.低温工艺

C.可实现大面积掺杂

D.无杂质污染

5.化学气相沉积的优点有？

A.沉积速率快

B.膜层质量好

C.可实现大面积沉积

D.设备简单

6.刻蚀工艺的要求包括？

A.高选择性

B.各向异性

C.低损伤

D.高刻蚀速率

7.金属化工艺的要求有？

A.良好的导电性

B.与硅片有良好的粘附性

C.抗电迁移能力强

D.可焊性好

8.扩散工艺的特点有？

A.高温工艺

B.杂质分布均匀

C.可实现深结扩散

D.工艺简单

9.光刻胶的分类有？

A.正性光刻胶

B.负性光刻胶

C.中性光刻胶

D.彩色光刻胶

10.多层布线工艺中需要解决的问题有？

A.层间绝缘

B.互连电阻

C.信号延迟

D.工艺兼容性

判断题（每题2分，共10题）

1.工艺整合的目标是将各个工艺步骤有机结合，实现芯片的高性能和高可靠性。（）

2.干氧氧化比湿氧氧化生长的氧化层质量差。（）

3.光刻工艺中，曝光剂量越大越好。（）

4.离子注入后不需要进行退火处理。（）

5.化学气相沉积只能在高温下进行。（）

6.干法刻蚀比湿法刻蚀的各向异性更好。（）

7.金属化工艺中，铝比铜更适合作为互连金属。（）

8.扩散工艺中，杂质的扩散系数与温度无关。（）

9.正性光刻胶在曝光后会溶解在显影液中。（）

10.多层布线工艺中，层间绝缘层的厚度越厚越好。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述工艺整合的重要性。

工艺整合可优化芯片制造流程，使各工艺有机结合。能提高芯片性能、可靠性，降低成本，缩短生产周期，还利于新技术引入和产品升级。

2.氧化工艺有哪些应用？

用于形成绝缘层，保护硅片表面；可作光刻掩膜，实现选择性掺杂；还能改善硅片表面性能，提高器件稳定性和可靠性。

3.光刻工艺的关键参数有哪些？

关键参数有曝光剂量、曝光时间、光刻胶厚度、显影时间、显影液浓度等，它们影响光刻图形的精度和质量。

4.刻蚀工艺的选择原则是什么？

要根据刻蚀对象、图形要求选。优先考虑高选择性，保证对特定材料刻蚀；追求各向异性，精确控制图形；还要低损伤和合适的刻蚀速率。

讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论工艺整合中可能遇到的挑战及解决方法。

挑战有工艺兼容性、设备匹配、良率控制等。解决方法是进行工艺优化实验、加强设备调试与维护、建立严格的质量控制体系，同时培养跨学科人才。

2.分析氧化工艺对芯片性能的影响。

氧化层可作绝缘层，影响器件的电学性能，如阈值电压。质量好的氧化层可提高芯片可靠性和稳定性，反之则可能导致漏电等问题。

3.探讨光刻工艺的发展趋势。

朝着更高分辨率、更大曝光面积、更低成本发展。将采用更先进的曝光技术，如EUV；优化光刻胶和掩膜版技术，提高图形精度。

4.谈谈刻蚀工艺在先进芯片制造中的作用。

在先进芯片制造中，刻蚀工艺用于精确制造纳米级图形，决定芯片特征尺寸，对提高集成度和性能至关重要，其精度和选择性影响芯片最终质量。

答案

单项选择题

1.B

2.B

3.D