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2025秋招：工艺整合真题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种工艺用于去除硅片表面氧化层？

A.光刻

B.刻蚀

C.沉积

D.掺杂

2.光刻工艺中，关键尺寸主要由什么决定？

A.光刻胶厚度

B.曝光光源波长

C.显影时间

D.刻蚀速率

3.化学气相沉积（CVD）主要用于？

A.去除杂质

B.形成薄膜

C.图形转移

D.表面清洗

4.离子注入的主要目的是？

A.改变材料颜色

B.提高表面硬度

C.改变材料电学性能

D.增加材料厚度

5.湿法刻蚀和干法刻蚀相比，优点是？

A.各向异性好

B.刻蚀速率快

C.均匀性好

D.对图形损伤小

6.扩散工艺中，杂质扩散系数与什么有关？

A.温度

B.压力

C.气体流量

D.光刻胶类型

7.化学机械抛光（CMP）用于？

A.表面平整化

B.图形光刻

C.离子注入

D.湿法刻蚀

8.以下哪种气体常用于等离子体刻蚀？

A.氧气

B.氮气

C.氩气

D.氯气

9.光刻工艺中，光刻胶的作用是？

A.保护硅片

B.形成图形

C.提高导电性

D.增加反射率

10.热氧化工艺中，氧化层生长速率与什么有关？

A.硅片晶向

B.光刻胶厚度

C.显影液浓度

D.刻蚀气体流量

多项选择题（每题2分，共10题）

1.工艺整合中涉及的主要工艺有？

A.光刻

B.刻蚀

C.沉积

D.掺杂

2.光刻工艺的主要步骤包括？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

3.化学气相沉积（CVD）的类型有？

A.低压CVD

B.等离子体增强CVD

C.常压CVD

D.高温CVD

4.离子注入的影响因素有？

A.离子能量

B.离子剂量

C.注入角度

D.靶材温度

5.湿法刻蚀的特点有？

A.各向同性

B.设备简单

C.成本低

D.对图形损伤大

6.扩散工艺的杂质源有？

A.固态源

B.液态源

C.气态源

D.等离子体源

7.化学机械抛光（CMP）的关键参数有？

A.压力

B.转速

C.抛光液成分

D.抛光垫材质

8.等离子体刻蚀的优点有？

A.各向异性好

B.刻蚀速率快

C.均匀性好

D.对图形损伤小

9.光刻胶的分类有？

A.正性光刻胶

B.负性光刻胶

C.厚光刻胶

D.薄光刻胶

10.热氧化工艺的类型有？

A.干氧氧化

B.湿氧氧化

C.水汽氧化

D.等离子体氧化

判断题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺是将掩膜版上的图形转移到硅片上的关键工艺。（）

2.化学气相沉积（CVD）只能在高温下进行。（）

3.离子注入可以精确控制杂质的浓度和分布。（）

4.湿法刻蚀的各向异性比干法刻蚀好。（）

5.扩散工艺中，杂质扩散系数随温度升高而减小。（）

6.化学机械抛光（CMP）主要用于去除硅片表面的杂质。（）

7.等离子体刻蚀可以实现对特定材料的选择性刻蚀。（）

8.光刻胶在曝光后会发生化学变化。（）

9.热氧化工艺中，氧化层生长速率与氧化时间成正比。（）

10.工艺整合的目的是将各种工艺有机结合，实现芯片的制造。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本原理。

光刻利用光刻胶感光特性，通过曝光将掩膜版图形转移到涂有光刻胶的硅片上，经显影使图形显现，后续可进行刻蚀等工艺将图形固定在硅片。

2.化学气相沉积（CVD）有哪些优点？

可在较低温度沉积，能精确控制膜厚和成分，可大面积均匀沉积，能沉积多种材料，适合大规模生产，可实现台阶覆盖。

3.离子注入与扩散工艺相比，有什么特点？

离子注入可精确控制杂质剂量和深度，低温操作，不受固溶度限制，但设备贵、有损伤；扩散成本低、工艺简单，但杂质分布难精确控制。

4.化学机械抛光（CMP）的作用是什么？

用于芯片制造中表面平整化，去除表面高低起伏，使芯片表面达到全局平坦，保证后续工艺光刻、刻蚀等的精度和质量。

讨论题（每题5分，共4题）

1.工艺整合中如何平衡不同工艺的优缺点？

需综合考虑芯片性能、成本、生产效率等。如光刻精度高但成本高，可优化曝光参数提高效率；湿法刻蚀成本低但各向同性差，可结合干法刻蚀互补。

2.随着芯片尺寸不断缩小，工艺整合面临哪些挑战？

光刻分辨率难满足，刻蚀和沉积均匀性控制更难，不同工艺间相互影响增大，热效应、应力问题凸显，对工艺精度和稳定性要求极高。

3.如何提高光刻工艺的分辨率？

可采用短波长曝光光源，改进光刻胶性能，优化光学系统和曝光技术，如浸没式光刻、双重图形技术等，还可控制工艺环境和参数。

4.化学机械抛光（CMP）过程中可能出现哪